首先對於小米做芯片這件事情，只有敬意，大家有關注新聞的都知道，我們要做自己的芯片有多難。小米有勇氣去走出，這件事情就已經很了不起。
在12月28的發佈會上，小米公佈了新一代自研芯片澎湃P1這是小米首款自研的充電芯片，將由下週登場的小米12 Pro首發搭載。
官方也發文對這顆新澎湃芯片進行了詳細的介紹，大家有耐心的一起來看看吧。
小米表示，快充是一個系統性工程，涉及壽命、安全、續航等等維度。如果一味地追求充電時間的極限，則會在其他方面造成妥協。
目前，有線充電速度達到120W的智能手機無一例外採用雙電芯系統，高速的代價是降低了手機內部空間利用率：得原本可以留給電芯的空間，被更復雜的充電電路和雙電芯結構所佔用，同樣體積下，雙串電芯的容量要低4%左右。
不止如此，雙串電芯在放電時又需要一顆2:1芯片進行降壓，它本身的轉換效率會導致電量浪費3%～4%。單電芯充電系統可以規避以上問題，但將充電功率提高到100W以上卻面臨着巨大的挑戰。
小米官方稱驅動120W澎湃秒充的核心是兩顆澎湃P1，它們接管了傳統的5電荷泵複雜結構，將輸入手機的高壓電能，更高效地轉換爲可以直充電池的大電流。
澎湃P1作爲業界首個諧振充電芯片，擁有自適應開關頻率的4:1超高效率架構，諧振拓撲效率高達97.5%，非諧振拓撲效率爲96.8%，熱損耗直線下降30%。
澎湃P1本身承擔了大量的轉換工作：傳統電荷泵只需要兩種工作模式（變壓、直通），而澎湃P1需要支持1:1、2:1和4:1轉換模式，並且所有的模式都需要支持雙向導通，這意味着總共需要15種排列組合的模式切換控制——是傳統電荷泵的7倍。
正向1:1模式讓亮屏充電效率更高，正向2:1模式可兼容更多充電器，正向4:1可支持120W澎湃秒充，反向1:2/1:4模式可支持高功率反向充電。
同時，澎湃P1也是小米充電效率最高的4:1充電芯片，可做到0.83W/mm²超高功率密度，LDMOS也達到業界領先超低1.18mΩmm²RSP。
而澎湃P1芯片內部需要用到三種不同耐壓的FLY電容，每顆電容需要獨立的開短路保護電路，而每種工作模式又需要嚴格控制預充電壓，功率管數量接近傳統電荷泵的兩倍。並且因爲拓撲設計和功能複雜度的提升，每片澎湃P1在出廠時都需要通過2500多項測試，遠高於傳統電荷泵。
最終，在它幫助下得以對電路進行大幅度簡化，同時澎湃P1本身的超高效率意味着發熱量處在理想範圍內，可以維持更長時間的滿功率運行，且支持無線充電。
說了這麼多，無論是從“小米高端手機能夠對標蘋果嗎”還是“如何看待小米的自研芯片之路”，其實我想小米想告訴世界的是，小米今天已經從當12年前的滿跚學步的一個小嬰兒，已經長成爲今天這個這個青蔥少年，少年就應該去探尋更遠的遠方，還有星辰大海，期待小米有一天能超越蘋果的存在。
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