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程導绅
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程導绅
2021-07-29
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英特尔投下埃米炸弹：台积电的夸大宣传该到头了
程導绅
2021-07-29
Hi
Taper渐近，难有恐慌
程導绅
2021-06-28
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程導绅
2021-06-27
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24小时32亿元爆仓，虚拟货币全线崩溃，矿机5折甩卖
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15:36","market":"us","language":"zh","title":"英特尔投下埃米炸弹：台积电的夸大宣传该到头了","url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=1187897781","media":"虎嗅APP","summary":"自从去年英特尔被100%确凿证据证实了在10nm制程上的延期，以及在7nm制程上全面落后于台积电，丧失全球制程领导地位后，大众舆论对这家美国唯一从设计、制造到封测全覆盖的半导体企业的态度，呈现出惊人的","content":"<p>自从去年英特尔被100%确凿证据证实了在10nm制程上的延期，以及在7nm制程上全面落后于台积电，丧失全球制程领导地位后，大众舆论对这家美国唯一从设计、制造到封测全覆盖的半导体企业的态度，呈现出惊人的一致变化：</p>\n<p>除了竞争对手和看热闹不嫌事大一样的顺便踩一脚，这种“批判趋势”到最后似乎演变成——<b>这家半导体顶级巨头剩下的日子似乎屈指可数了。</b></p>\n<p>技术创新层面遭遇的危机也蔓延至他们的财务数据上，从2020年Q1到2021年Q3，英特尔净利润连续3个季度下滑；而历来作为<b>数据中心市场的绝对王者</b>，英特尔这一业务板块的收入也在三个季度内持续下降。</p>\n<p>2021年5月，权威市场调研机构 IC Insights发布的《2021年Q1全球Top15半导体公司业绩与排名》指出，英特尔虽然位列第一，但却是所有厂商中唯一一家营收下滑的企业。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/ddcac03ab5d13481ff896474f8ff1274\" tg-width=\"550\" tg-height=\"277\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自IC Insights</p>\n<p>英特尔当然焦虑。这种焦虑可能体现在：</p>\n<ul>\n <li><p>受到资本市场巨大压力，2021年年初突然换帅，重新启用有40年制造技术履历的帕特·基辛格(Pat Gelsinger)为新任CEO。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>迅速接受了阿斯麦比自己更为先进的EUV制造工艺，用了大约两个季度的时间修复了7nm技术。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>在制造环节投入巨资。今年3月，帕特·基辛格正式公布十分关键的“IDM 2.0”战略，宣布重返晶圆代工市场，<b>同时宣布投资200亿美元在美国亚利桑那州新建两座晶圆厂</b>；5月再次宣布，<b>投资35亿美元升级新墨西哥州工厂，投资100亿美元在以色列兴建的芯片厂，还计划在欧盟建厂。</b></p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>越来越多的英特尔半导体技术专家现身说法，为自己的制造技术正名，强调“每家晶圆厂的制程数据有对外宣传的差异”。</p></li>\n</ul>\n<p>当然，根据虎嗅平台的观察和媒体反应，在国内大大小小的人工智能、物联网以及数据中心市场活动上，你能越来越多次看到英特尔出现的身影。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/4bfc85ebc4b88c6abf9345706cd0d652\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"601\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>英特尔 CEO 帕特·基辛格</p>\n<p>以重新夺回“制程节点”为目标的英特尔，今年3月发布的“IDM2.0战略”就以大手笔和”绝不放弃制造”的态度虽然引起产业重视，但因为表现不佳的财报状况持续受到争议；</p>\n<p>而昨天，包括CEO基辛格在内的4位英特尔高级制造技术专家，再次通过大范围公开英特尔的制程技术和实现路径，<b>向半导体产业投掷了一枚“新炸弹”：</b></p>\n<ul>\n <li><p>英特尔的确在10nm和7nm有所延迟（如果感兴趣，可以看我的这篇文章《英特尔退位，台积电称王》），但在5nm节点上，英特尔自认为非但没有延迟，反而会完成超越。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>为了应对台积电等对手的“制程虚假宣传”，以及纠正大家对制程的认知误区，英特尔直接舍弃了“10nm，7nm，5nm，3nm”这一本质上由摩尔定律决定的说法，而是直接采用100%英特尔主观视角的新命名体系——Intel7，Intel4，Intel3，Intel20A，Intel18A。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>这一次公开的Intel20A，本质对应的就是5nm制程。<b>这是一个英特尔近2年来闭口不谈的制程节点，相关时间计划基本到7nm就戛然截止了。英特尔</b>首次宣布将通过Intel20A，进入“埃米时代”。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>Intel20A背后两大关键技术非常值得注意。其中，这个制程将会采用全新的晶体管结构Gate-All-Around，并非是为22nm以下制程产品化立下汗马功劳的FinFET结构。</p></li>\n</ul>\n<p>换言之，这种应用了新材料的新结构芯片，将会对传统制程概念，产生重大改变。就如一位半导体技术专家告诉虎嗅：“这种新的材料结构，制程这些几纳米啥的就没那么大的关系了。”</p>\n<p><b>英特尔新制程命名体系：快醒醒，客户们</b></p>\n<p>关于制程的命名问题，被产业诟病已久。</p>\n<p>譬如我们曾在《英特尔退位，台积电称王》这篇文章里提及，业内不少工程师认为，英特尔在对待“纳米”制程数字的态度更实在，甚至表示“英特尔的10nm芯片对标的其实是台积电的7nm，甚至比后者的7nm都好”。</p>\n<p>这也是基辛格上任后，多次在公开场合呼吁大家正确理解“制程数字”：</p>\n<blockquote>\n “包括英特尔在内，使用着各不相同的制程节点命名和编号方案，这些方案既不指代任何具体的度量方法，也无法全面展现如何实现芯片能效和性能的最佳平衡。”\n</blockquote>\n<p>这就像是车展上那些号称自己芯片达到几百几千Tops的汽车，也像是加州每年发布的《自动驾驶接管报告》——没有统一测试条件和足够的企业诚信度，就绝对不配说出“谁比谁性能好”的结论。</p>\n<p>所以，英特尔这次兴师动众地更换了命名体系，美名曰：“让客户对整个行业的制程节点演进有一个更准确认知，进而做出更明智的决策”，<b>其实主要目的就是对付台积电和三星不那么太靠谱的5nm和3nm制程名字。</b></p>\n<ul>\n <li><p>2021年下半年将推出的Intel 7 （是不是至少看起来像是7nm？），其实就是英特尔之前发布的10nm Enhanced SuperFin；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2023年上半年发布的Intel 4（至少看起来像4nm？），其实就是英特尔之前PPT的7nm；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2023年下半年发布的Intel3，其实就是英特尔之前PPT上的7nm+；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p><b>2024年上半年发布的Intel20A（看起来像不像2nm？），其实就是英特尔标准下的5nm；</b></p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2025年上半年发布Intel18A，其实就是英特尔标准下的5nm+。</p></li>\n</ul>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/1ce380fc9b07caca9a43fa165a2e90a8\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"471\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自英特尔</p>\n<p>实际上，随着晶体管结构的愈加复杂，早在21世纪初，产业内就开始对芯片的纳米制程命名有了“分化趋势”。</p>\n<p>我们都清楚，微处理器是由以特定方式连接起来的数十亿晶体管组成。这些晶体管充当了“开关”的角色，负责处理电子数据的1和0。</p>\n<p>基辛格解释，在晶体管顶部有一个区域叫“栅极”，它决定了晶体管是开启还是关闭。而“制程节点”指代的是晶体管所需的数千个制造步骤组成的复杂方案。</p>\n<p>而所有最顶级半导体公司几乎都有同一个目标——让这些芯片变得更小、更快、更便宜、更高能效——最好的例子莫过于苹果的5nm制程芯片M1（有太多关于M1的测评可以去看，我也买了一台M1的Macbook Air，爱不释手）。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/ae99fc8b1663fb184dc959320da5b5a1\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"384\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>最初，制程工艺“节点”的名称与晶体管的栅极长度相对应，并以“微米”为度量单位。<b>随着晶体管越变越小，栅极的长度越来越微缩，产业开始以纳米为度量单位。</b></p>\n<p>而关于制程命名改变的关键节点出现在1997年。</p>\n<p>“随着技术进步和应变硅（strained silicon）等其他创新技术的出现，除了缩小晶体管，更快、更便宜和更高能效也变得同样重要。” 基辛格认为，从这时开始，<b>传统命名方法不再与实际的晶体管栅极长度相匹配。</b></p>\n<p><b>换言之，晶体管尺寸在某种程度上不是唯一的决定因素，它们之间的“互连”等因素也不能忽略。</b></p>\n<p>2011年，在英特尔推出FinFET晶体管结构技术后，行业进一步分化。这是一种构建晶体管的全新方式，具有独特的形状和结构。</p>\n<p>这个结构就是将停滞不前的22nm继续往下缩进的关键技术。<b>但要很显然，从22nm开始，不要说大众，就连产业内对制程数字的理解与它的实际“坐标”也开始逐渐脱离。</b></p>\n<p><b>这也是英特尔如今建立新命名体系的根本缘由。</b></p>\n<blockquote>\n 正如虎嗅之前在采访工程师时得到的答案：“英特尔在制造工艺标准制定上相对更激进，要求也更高。但的确制程延迟了1~2年，说落后并不意味着他们没有追赶的可能性。”\n</blockquote>\n<p>但英特尔这次大刀阔斧的制程<b>更名</b>，<b>也许不是不相信自己，而是嗅到了市场和资本已经被“命名”困惑已久（譬如开头），甚至依此来做出商务判断的残酷现实。</b></p>\n<p>不过我们想到了一个问题——即便推出了新命名产品，客户没有理由不问一句：“你这intel7到底几纳米？对标的是台积电的几纳米？”</p>\n<p>说实话，我们更想知道英特尔在遇到这个问题时怎么回答。</p>\n<p>誓死捍卫摩尔定律？</p>\n<p>基辛格在这次可谓是极为详尽的“制程技术科普会”上，至少提了三次关于“摩尔定律不会消亡，英特尔会通过各种方法，如改材料、晶体管结构，以及封装等角度，继续来延续摩尔定律”的决心。</p>\n<p>实话讲，除了这个意味深长的新命名体系，<b>英特尔最有趣且最应该受到关注的产品，毫无疑问是Intel3之后的Intel20A。</b></p>\n<p>（当然，Intel4 将作为第一批应用阿斯麦高数值孔径（High-NA）极紫外辐射光刻技术(EUV)的处理器也倍受瞩目，但象征意义不如Intel20A。）</p>\n<p>Intel 20A（5nm）之所以被英特尔称为历史上制程技术发展的下一个分水岭，是因为它是第一块应用英特尔两大“开创性技术”的芯片：</p>\n<ul>\n <li><p><b>替代FinFET的全新晶体管架构 Gate-All-Around（英特尔把它命名为RibbonFET）</b></p></li>\n <li><p><b>能够解决“互联瓶颈”的电能传输系统PowerVia。</b></p></li>\n</ul>\n<p>FinFET技术的重要性已经无须赘述。</p>\n<p>它是加州伯克利大学电子工程与计算机专业教授胡正明在1999年研发出的 3D 晶体管技术（鳍型晶体管）。英特尔之所以能在 12 年后率先量产出 22nm 晶体管，台积电与三星顺利过渡至 16/14nm 制程节点，FinFET功不可没。</p>\n<p>正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。</p>\n<p>但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。</p>\n<p>而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET（全栅场效应管），它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/6a6fca1343877c136cbeef1a4caedada\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"255\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自泛林半导体</p>\n<p>与 FinFET不同的是，在 FinFET 中，较高电流需要多个并排的鳍片；GAA 晶体管的载流能力主要是通过垂直堆叠几个纳米片（上图），而栅极材料主要是包裹在沟道周围来提高的。纳米片的尺寸可以按比例缩放，以便晶体管可以按照要求的特定性能进行调整。</p>\n<p>听起来，“纳米片”的概念其实理解起来并不是那么困难；而且实际上，这项技术已经被研发多年。但其之所以不受业内“重用”，<b>主要瓶颈就在于“材料”</b>。</p>\n<p>根据泛林半导体给出的解释，GAA晶体管是通过“交替硅”和“硅锗外延层”的超晶格来制作的，这是构成纳米片的基础，此外制作工艺相对复杂，可能需要钌、钼、镍等各种合金新材料进行沉积、蚀刻、填充。</p>\n<blockquote>\n 一位半导体专家这样给虎嗅总结：“它（GAA）将对半导体的基底材料进行更改，半导体连接的材料也要进行更改。同时整个晶体管的物理结构也要变化。”\n</blockquote>\n<p>因此，带领团队开发这项技术的Sanjay Natarajan博士将英特尔的GAA——RibbonFET称为一次“晶体管性能上的重大飞跃”，并非虚话。</p>\n<p>根据测试芯片结果，他们预计RibbonFET晶体管带来的性能和密度提升，将超过当下的FinFET晶体管。而Intel 20A将是应用RibbonFET的第一枚芯片。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/e0a40c6ececaec4fa8741e6781f30b32\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"487\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>而电能传输系统PowerVia则是英特尔工程师开发的一项独特技术。Sanjay Natarajan博士作为这项技术的开发负责人，指出半导体晶体管结构中存在的最大传统问题之一便是“布线效率低下”。</p>\n<p>“传统互连技术是在晶体管层的顶部进行互联，经常产生电源线和信号线的互混，导致了布线效率低下，进而影响性能和功耗。”</p>\n<p>他们的解决方法，便是把电源线置于晶体管层的下面（也就是晶圆的背面）。通过减少晶圆正面的电源布线，腾出更多的“空地儿”用于优化信号布线，并减少时延，实现更好的电能传输。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/711724a13d34832717d6e33d027d163f\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"603\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>值得注意的是，这两项将用于Intel20A的关键技术，虽然不可避免被人诟病为“仍然处于PPT状态”（毕竟还都是PPT），但英特尔的专家们展示了这些测试芯片的扫描电镜图像，显然经过了一系列测试。</p>\n<p>就像上面所说，它们的成功应用，将决定着英特尔是否能在5nm这个关键节点上进行反超。</p>\n<p>从时间来看，很明显，2019年时PPT上规划的“2023年实现7nm++”，与这次规划的“2024年实现Intel20A”没有多少间隔。也就是说，依然有机会在5nm这个节点上翻盘。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/9858abda999ad2b18407fdde87b7e61c\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"561\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>英特尔2019年10月的制程产品规划图</p>\n<p>如基辛格所说，英特尔Intel20A在2024年的问世与两大关键技术的真正应用，将标志着半导体“埃米时代”（1埃米=0.1纳米）的启幕。</p>\n<p>现在来听，其实更像是英特尔在向外界喊话：你们以为我还想在“纳米时代”争夺领导权？不，我们要进入一个比纳米更小的单位去争夺话语权了。</p>\n<p><b>写在最后…希望不是PPT</b></p>\n<p>但话说回来，既然完全改变了以纳米为单位的命名体系，而且晶体管结构和材料正在发生下一轮巨大变化。此外，英特尔也在从封装技术层面提高芯片的带宽密度和能效……</p>\n<p>这一切难道不是意味着，所谓的纳米还是埃米的数字单位，已经越来越没意义了吗？</p>\n<p><b>英特尔嘴上说在捍卫摩尔定律，其实已经认识到不能再依靠摩尔定律。</b></p>\n<p>如今，Intel20A的制造工艺虽然官方说拿下了高通这个大订单，但距离2024年变数还有很大。我们虽然觉得英特尔这场发布会的意义重大，并且产品规划让人没有异议，但是PPT能够转变称真正的产品，还是需要实物说话。</p>\n<p>毕竟，当年延迟了4年的14nm产品，当时PPT做的也挺不错的。</p>","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>英特尔投下埃米炸弹：台积电的夸大宣传该到头了</title>\n<style 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15:36</p>\n</div>\n\n</a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<p>自从去年英特尔被100%确凿证据证实了在10nm制程上的延期，以及在7nm制程上全面落后于台积电，丧失全球制程领导地位后，大众舆论对这家美国唯一从设计、制造到封测全覆盖的半导体企业的态度，呈现出惊人的一致变化：</p>\n<p>除了竞争对手和看热闹不嫌事大一样的顺便踩一脚，这种“批判趋势”到最后似乎演变成——<b>这家半导体顶级巨头剩下的日子似乎屈指可数了。</b></p>\n<p>技术创新层面遭遇的危机也蔓延至他们的财务数据上，从2020年Q1到2021年Q3，英特尔净利润连续3个季度下滑；而历来作为<b>数据中心市场的绝对王者</b>，英特尔这一业务板块的收入也在三个季度内持续下降。</p>\n<p>2021年5月，权威市场调研机构 IC Insights发布的《2021年Q1全球Top15半导体公司业绩与排名》指出，英特尔虽然位列第一，但却是所有厂商中唯一一家营收下滑的企业。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/ddcac03ab5d13481ff896474f8ff1274\" tg-width=\"550\" tg-height=\"277\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自IC Insights</p>\n<p>英特尔当然焦虑。这种焦虑可能体现在：</p>\n<ul>\n <li><p>受到资本市场巨大压力，2021年年初突然换帅，重新启用有40年制造技术履历的帕特·基辛格(Pat Gelsinger)为新任CEO。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>迅速接受了阿斯麦比自己更为先进的EUV制造工艺，用了大约两个季度的时间修复了7nm技术。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>在制造环节投入巨资。今年3月，帕特·基辛格正式公布十分关键的“IDM 2.0”战略，宣布重返晶圆代工市场，<b>同时宣布投资200亿美元在美国亚利桑那州新建两座晶圆厂</b>；5月再次宣布，<b>投资35亿美元升级新墨西哥州工厂，投资100亿美元在以色列兴建的芯片厂，还计划在欧盟建厂。</b></p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>越来越多的英特尔半导体技术专家现身说法，为自己的制造技术正名，强调“每家晶圆厂的制程数据有对外宣传的差异”。</p></li>\n</ul>\n<p>当然，根据虎嗅平台的观察和媒体反应，在国内大大小小的人工智能、物联网以及数据中心市场活动上，你能越来越多次看到英特尔出现的身影。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/4bfc85ebc4b88c6abf9345706cd0d652\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"601\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>英特尔 CEO 帕特·基辛格</p>\n<p>以重新夺回“制程节点”为目标的英特尔，今年3月发布的“IDM2.0战略”就以大手笔和”绝不放弃制造”的态度虽然引起产业重视，但因为表现不佳的财报状况持续受到争议；</p>\n<p>而昨天，包括CEO基辛格在内的4位英特尔高级制造技术专家，再次通过大范围公开英特尔的制程技术和实现路径，<b>向半导体产业投掷了一枚“新炸弹”：</b></p>\n<ul>\n <li><p>英特尔的确在10nm和7nm有所延迟（如果感兴趣，可以看我的这篇文章《英特尔退位，台积电称王》），但在5nm节点上，英特尔自认为非但没有延迟，反而会完成超越。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>为了应对台积电等对手的“制程虚假宣传”，以及纠正大家对制程的认知误区，英特尔直接舍弃了“10nm，7nm，5nm，3nm”这一本质上由摩尔定律决定的说法，而是直接采用100%英特尔主观视角的新命名体系——Intel7，Intel4，Intel3，Intel20A，Intel18A。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>这一次公开的Intel20A，本质对应的就是5nm制程。<b>这是一个英特尔近2年来闭口不谈的制程节点，相关时间计划基本到7nm就戛然截止了。英特尔</b>首次宣布将通过Intel20A，进入“埃米时代”。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>Intel20A背后两大关键技术非常值得注意。其中，这个制程将会采用全新的晶体管结构Gate-All-Around，并非是为22nm以下制程产品化立下汗马功劳的FinFET结构。</p></li>\n</ul>\n<p>换言之，这种应用了新材料的新结构芯片，将会对传统制程概念，产生重大改变。就如一位半导体技术专家告诉虎嗅：“这种新的材料结构，制程这些几纳米啥的就没那么大的关系了。”</p>\n<p><b>英特尔新制程命名体系：快醒醒，客户们</b></p>\n<p>关于制程的命名问题，被产业诟病已久。</p>\n<p>譬如我们曾在《英特尔退位，台积电称王》这篇文章里提及，业内不少工程师认为，英特尔在对待“纳米”制程数字的态度更实在，甚至表示“英特尔的10nm芯片对标的其实是台积电的7nm，甚至比后者的7nm都好”。</p>\n<p>这也是基辛格上任后，多次在公开场合呼吁大家正确理解“制程数字”：</p>\n<blockquote>\n “包括英特尔在内，使用着各不相同的制程节点命名和编号方案，这些方案既不指代任何具体的度量方法，也无法全面展现如何实现芯片能效和性能的最佳平衡。”\n</blockquote>\n<p>这就像是车展上那些号称自己芯片达到几百几千Tops的汽车，也像是加州每年发布的《自动驾驶接管报告》——没有统一测试条件和足够的企业诚信度，就绝对不配说出“谁比谁性能好”的结论。</p>\n<p>所以，英特尔这次兴师动众地更换了命名体系，美名曰：“让客户对整个行业的制程节点演进有一个更准确认知，进而做出更明智的决策”，<b>其实主要目的就是对付台积电和三星不那么太靠谱的5nm和3nm制程名字。</b></p>\n<ul>\n <li><p>2021年下半年将推出的Intel 7 （是不是至少看起来像是7nm？），其实就是英特尔之前发布的10nm Enhanced SuperFin；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2023年上半年发布的Intel 4（至少看起来像4nm？），其实就是英特尔之前PPT的7nm；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2023年下半年发布的Intel3，其实就是英特尔之前PPT上的7nm+；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p><b>2024年上半年发布的Intel20A（看起来像不像2nm？），其实就是英特尔标准下的5nm；</b></p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2025年上半年发布Intel18A，其实就是英特尔标准下的5nm+。</p></li>\n</ul>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/1ce380fc9b07caca9a43fa165a2e90a8\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"471\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自英特尔</p>\n<p>实际上，随着晶体管结构的愈加复杂，早在21世纪初，产业内就开始对芯片的纳米制程命名有了“分化趋势”。</p>\n<p>我们都清楚，微处理器是由以特定方式连接起来的数十亿晶体管组成。这些晶体管充当了“开关”的角色，负责处理电子数据的1和0。</p>\n<p>基辛格解释，在晶体管顶部有一个区域叫“栅极”，它决定了晶体管是开启还是关闭。而“制程节点”指代的是晶体管所需的数千个制造步骤组成的复杂方案。</p>\n<p>而所有最顶级半导体公司几乎都有同一个目标——让这些芯片变得更小、更快、更便宜、更高能效——最好的例子莫过于苹果的5nm制程芯片M1（有太多关于M1的测评可以去看，我也买了一台M1的Macbook Air，爱不释手）。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/ae99fc8b1663fb184dc959320da5b5a1\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"384\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>最初，制程工艺“节点”的名称与晶体管的栅极长度相对应，并以“微米”为度量单位。<b>随着晶体管越变越小，栅极的长度越来越微缩，产业开始以纳米为度量单位。</b></p>\n<p>而关于制程命名改变的关键节点出现在1997年。</p>\n<p>“随着技术进步和应变硅（strained silicon）等其他创新技术的出现，除了缩小晶体管，更快、更便宜和更高能效也变得同样重要。” 基辛格认为，从这时开始，<b>传统命名方法不再与实际的晶体管栅极长度相匹配。</b></p>\n<p><b>换言之，晶体管尺寸在某种程度上不是唯一的决定因素，它们之间的“互连”等因素也不能忽略。</b></p>\n<p>2011年，在英特尔推出FinFET晶体管结构技术后，行业进一步分化。这是一种构建晶体管的全新方式，具有独特的形状和结构。</p>\n<p>这个结构就是将停滞不前的22nm继续往下缩进的关键技术。<b>但要很显然，从22nm开始，不要说大众，就连产业内对制程数字的理解与它的实际“坐标”也开始逐渐脱离。</b></p>\n<p><b>这也是英特尔如今建立新命名体系的根本缘由。</b></p>\n<blockquote>\n 正如虎嗅之前在采访工程师时得到的答案：“英特尔在制造工艺标准制定上相对更激进，要求也更高。但的确制程延迟了1~2年，说落后并不意味着他们没有追赶的可能性。”\n</blockquote>\n<p>但英特尔这次大刀阔斧的制程<b>更名</b>，<b>也许不是不相信自己，而是嗅到了市场和资本已经被“命名”困惑已久（譬如开头），甚至依此来做出商务判断的残酷现实。</b></p>\n<p>不过我们想到了一个问题——即便推出了新命名产品，客户没有理由不问一句：“你这intel7到底几纳米？对标的是台积电的几纳米？”</p>\n<p>说实话，我们更想知道英特尔在遇到这个问题时怎么回答。</p>\n<p>誓死捍卫摩尔定律？</p>\n<p>基辛格在这次可谓是极为详尽的“制程技术科普会”上，至少提了三次关于“摩尔定律不会消亡，英特尔会通过各种方法，如改材料、晶体管结构，以及封装等角度，继续来延续摩尔定律”的决心。</p>\n<p>实话讲，除了这个意味深长的新命名体系，<b>英特尔最有趣且最应该受到关注的产品，毫无疑问是Intel3之后的Intel20A。</b></p>\n<p>（当然，Intel4 将作为第一批应用阿斯麦高数值孔径（High-NA）极紫外辐射光刻技术(EUV)的处理器也倍受瞩目，但象征意义不如Intel20A。）</p>\n<p>Intel 20A（5nm）之所以被英特尔称为历史上制程技术发展的下一个分水岭，是因为它是第一块应用英特尔两大“开创性技术”的芯片：</p>\n<ul>\n <li><p><b>替代FinFET的全新晶体管架构 Gate-All-Around（英特尔把它命名为RibbonFET）</b></p></li>\n <li><p><b>能够解决“互联瓶颈”的电能传输系统PowerVia。</b></p></li>\n</ul>\n<p>FinFET技术的重要性已经无须赘述。</p>\n<p>它是加州伯克利大学电子工程与计算机专业教授胡正明在1999年研发出的 3D 晶体管技术（鳍型晶体管）。英特尔之所以能在 12 年后率先量产出 22nm 晶体管，台积电与三星顺利过渡至 16/14nm 制程节点，FinFET功不可没。</p>\n<p>正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。</p>\n<p>但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。</p>\n<p>而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET（全栅场效应管），它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/6a6fca1343877c136cbeef1a4caedada\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"255\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自泛林半导体</p>\n<p>与 FinFET不同的是，在 FinFET 中，较高电流需要多个并排的鳍片；GAA 晶体管的载流能力主要是通过垂直堆叠几个纳米片（上图），而栅极材料主要是包裹在沟道周围来提高的。纳米片的尺寸可以按比例缩放，以便晶体管可以按照要求的特定性能进行调整。</p>\n<p>听起来，“纳米片”的概念其实理解起来并不是那么困难；而且实际上，这项技术已经被研发多年。但其之所以不受业内“重用”，<b>主要瓶颈就在于“材料”</b>。</p>\n<p>根据泛林半导体给出的解释，GAA晶体管是通过“交替硅”和“硅锗外延层”的超晶格来制作的，这是构成纳米片的基础，此外制作工艺相对复杂，可能需要钌、钼、镍等各种合金新材料进行沉积、蚀刻、填充。</p>\n<blockquote>\n 一位半导体专家这样给虎嗅总结：“它（GAA）将对半导体的基底材料进行更改，半导体连接的材料也要进行更改。同时整个晶体管的物理结构也要变化。”\n</blockquote>\n<p>因此，带领团队开发这项技术的Sanjay Natarajan博士将英特尔的GAA——RibbonFET称为一次“晶体管性能上的重大飞跃”，并非虚话。</p>\n<p>根据测试芯片结果，他们预计RibbonFET晶体管带来的性能和密度提升，将超过当下的FinFET晶体管。而Intel 20A将是应用RibbonFET的第一枚芯片。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/e0a40c6ececaec4fa8741e6781f30b32\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"487\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>而电能传输系统PowerVia则是英特尔工程师开发的一项独特技术。Sanjay Natarajan博士作为这项技术的开发负责人，指出半导体晶体管结构中存在的最大传统问题之一便是“布线效率低下”。</p>\n<p>“传统互连技术是在晶体管层的顶部进行互联，经常产生电源线和信号线的互混，导致了布线效率低下，进而影响性能和功耗。”</p>\n<p>他们的解决方法，便是把电源线置于晶体管层的下面（也就是晶圆的背面）。通过减少晶圆正面的电源布线，腾出更多的“空地儿”用于优化信号布线，并减少时延，实现更好的电能传输。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/711724a13d34832717d6e33d027d163f\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"603\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>值得注意的是，这两项将用于Intel20A的关键技术，虽然不可避免被人诟病为“仍然处于PPT状态”（毕竟还都是PPT），但英特尔的专家们展示了这些测试芯片的扫描电镜图像，显然经过了一系列测试。</p>\n<p>就像上面所说，它们的成功应用，将决定着英特尔是否能在5nm这个关键节点上进行反超。</p>\n<p>从时间来看，很明显，2019年时PPT上规划的“2023年实现7nm++”，与这次规划的“2024年实现Intel20A”没有多少间隔。也就是说，依然有机会在5nm这个节点上翻盘。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/9858abda999ad2b18407fdde87b7e61c\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"561\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>英特尔2019年10月的制程产品规划图</p>\n<p>如基辛格所说，英特尔Intel20A在2024年的问世与两大关键技术的真正应用，将标志着半导体“埃米时代”（1埃米=0.1纳米）的启幕。</p>\n<p>现在来听，其实更像是英特尔在向外界喊话：你们以为我还想在“纳米时代”争夺领导权？不，我们要进入一个比纳米更小的单位去争夺话语权了。</p>\n<p><b>写在最后…希望不是PPT</b></p>\n<p>但话说回来，既然完全改变了以纳米为单位的命名体系，而且晶体管结构和材料正在发生下一轮巨大变化。此外，英特尔也在从封装技术层面提高芯片的带宽密度和能效……</p>\n<p>这一切难道不是意味着，所谓的纳米还是埃米的数字单位，已经越来越没意义了吗？</p>\n<p><b>英特尔嘴上说在捍卫摩尔定律，其实已经认识到不能再依靠摩尔定律。</b></p>\n<p>如今，Intel20A的制造工艺虽然官方说拿下了高通这个大订单，但距离2024年变数还有很大。我们虽然觉得英特尔这场发布会的意义重大，并且产品规划让人没有异议，但是PPT能够转变称真正的产品，还是需要实物说话。</p>\n<p>毕竟，当年延迟了4年的14nm产品，当时PPT做的也挺不错的。</p>\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","type":0,"thumbnail":"https://static.tigerbbs.com/c74be4c2a08964ef2daf32217f693b44","relate_stocks":{"03145":"华夏亚洲高息股","EWT":"台湾ETF-iShares 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CEO 帕特·基辛格\n以重新夺回“制程节点”为目标的英特尔，今年3月发布的“IDM2.0战略”就以大手笔和”绝不放弃制造”的态度虽然引起产业重视，但因为表现不佳的财报状况持续受到争议；\n而昨天，包括CEO基辛格在内的4位英特尔高级制造技术专家，再次通过大范围公开英特尔的制程技术和实现路径，向半导体产业投掷了一枚“新炸弹”：\n\n英特尔的确在10nm和7nm有所延迟（如果感兴趣，可以看我的这篇文章《英特尔退位，台积电称王》），但在5nm节点上，英特尔自认为非但没有延迟，反而会完成超越。\n\n\n为了应对台积电等对手的“制程虚假宣传”，以及纠正大家对制程的认知误区，英特尔直接舍弃了“10nm，7nm，5nm，3nm”这一本质上由摩尔定律决定的说法，而是直接采用100%英特尔主观视角的新命名体系——Intel7，Intel4，Intel3，Intel20A，Intel18A。\n\n\n这一次公开的Intel20A，本质对应的就是5nm制程。这是一个英特尔近2年来闭口不谈的制程节点，相关时间计划基本到7nm就戛然截止了。英特尔首次宣布将通过Intel20A，进入“埃米时代”。\n\n\nIntel20A背后两大关键技术非常值得注意。其中，这个制程将会采用全新的晶体管结构Gate-All-Around，并非是为22nm以下制程产品化立下汗马功劳的FinFET结构。\n\n换言之，这种应用了新材料的新结构芯片，将会对传统制程概念，产生重大改变。就如一位半导体技术专家告诉虎嗅：“这种新的材料结构，制程这些几纳米啥的就没那么大的关系了。”\n英特尔新制程命名体系：快醒醒，客户们\n关于制程的命名问题，被产业诟病已久。\n譬如我们曾在《英特尔退位，台积电称王》这篇文章里提及，业内不少工程师认为，英特尔在对待“纳米”制程数字的态度更实在，甚至表示“英特尔的10nm芯片对标的其实是台积电的7nm，甚至比后者的7nm都好”。\n这也是基辛格上任后，多次在公开场合呼吁大家正确理解“制程数字”：\n\n “包括英特尔在内，使用着各不相同的制程节点命名和编号方案，这些方案既不指代任何具体的度量方法，也无法全面展现如何实现芯片能效和性能的最佳平衡。”\n\n这就像是车展上那些号称自己芯片达到几百几千Tops的汽车，也像是加州每年发布的《自动驾驶接管报告》——没有统一测试条件和足够的企业诚信度，就绝对不配说出“谁比谁性能好”的结论。\n所以，英特尔这次兴师动众地更换了命名体系，美名曰：“让客户对整个行业的制程节点演进有一个更准确认知，进而做出更明智的决策”，其实主要目的就是对付台积电和三星不那么太靠谱的5nm和3nm制程名字。\n\n2021年下半年将推出的Intel 7 （是不是至少看起来像是7nm？），其实就是英特尔之前发布的10nm Enhanced SuperFin；\n\n\n2023年上半年发布的Intel 4（至少看起来像4nm？），其实就是英特尔之前PPT的7nm；\n\n\n2023年下半年发布的Intel3，其实就是英特尔之前PPT上的7nm+；\n\n\n2024年上半年发布的Intel20A（看起来像不像2nm？），其实就是英特尔标准下的5nm；\n\n\n2025年上半年发布Intel18A，其实就是英特尔标准下的5nm+。\n\n\n图片来自英特尔\n实际上，随着晶体管结构的愈加复杂，早在21世纪初，产业内就开始对芯片的纳米制程命名有了“分化趋势”。\n我们都清楚，微处理器是由以特定方式连接起来的数十亿晶体管组成。这些晶体管充当了“开关”的角色，负责处理电子数据的1和0。\n基辛格解释，在晶体管顶部有一个区域叫“栅极”，它决定了晶体管是开启还是关闭。而“制程节点”指代的是晶体管所需的数千个制造步骤组成的复杂方案。\n而所有最顶级半导体公司几乎都有同一个目标——让这些芯片变得更小、更快、更便宜、更高能效——最好的例子莫过于苹果的5nm制程芯片M1（有太多关于M1的测评可以去看，我也买了一台M1的Macbook Air，爱不释手）。\n\n最初，制程工艺“节点”的名称与晶体管的栅极长度相对应，并以“微米”为度量单位。随着晶体管越变越小，栅极的长度越来越微缩，产业开始以纳米为度量单位。\n而关于制程命名改变的关键节点出现在1997年。\n“随着技术进步和应变硅（strained silicon）等其他创新技术的出现，除了缩小晶体管，更快、更便宜和更高能效也变得同样重要。” 基辛格认为，从这时开始，传统命名方法不再与实际的晶体管栅极长度相匹配。\n换言之，晶体管尺寸在某种程度上不是唯一的决定因素，它们之间的“互连”等因素也不能忽略。\n2011年，在英特尔推出FinFET晶体管结构技术后，行业进一步分化。这是一种构建晶体管的全新方式，具有独特的形状和结构。\n这个结构就是将停滞不前的22nm继续往下缩进的关键技术。但要很显然，从22nm开始，不要说大众，就连产业内对制程数字的理解与它的实际“坐标”也开始逐渐脱离。\n这也是英特尔如今建立新命名体系的根本缘由。\n\n 正如虎嗅之前在采访工程师时得到的答案：“英特尔在制造工艺标准制定上相对更激进，要求也更高。但的确制程延迟了1~2年，说落后并不意味着他们没有追赶的可能性。”\n\n但英特尔这次大刀阔斧的制程更名，也许不是不相信自己，而是嗅到了市场和资本已经被“命名”困惑已久（譬如开头），甚至依此来做出商务判断的残酷现实。\n不过我们想到了一个问题——即便推出了新命名产品，客户没有理由不问一句：“你这intel7到底几纳米？对标的是台积电的几纳米？”\n说实话，我们更想知道英特尔在遇到这个问题时怎么回答。\n誓死捍卫摩尔定律？\n基辛格在这次可谓是极为详尽的“制程技术科普会”上，至少提了三次关于“摩尔定律不会消亡，英特尔会通过各种方法，如改材料、晶体管结构，以及封装等角度，继续来延续摩尔定律”的决心。\n实话讲，除了这个意味深长的新命名体系，英特尔最有趣且最应该受到关注的产品，毫无疑问是Intel3之后的Intel20A。\n（当然，Intel4 将作为第一批应用阿斯麦高数值孔径（High-NA）极紫外辐射光刻技术(EUV)的处理器也倍受瞩目，但象征意义不如Intel20A。）\nIntel 20A（5nm）之所以被英特尔称为历史上制程技术发展的下一个分水岭，是因为它是第一块应用英特尔两大“开创性技术”的芯片：\n\n替代FinFET的全新晶体管架构 Gate-All-Around（英特尔把它命名为RibbonFET）\n能够解决“互联瓶颈”的电能传输系统PowerVia。\n\nFinFET技术的重要性已经无须赘述。\n它是加州伯克利大学电子工程与计算机专业教授胡正明在1999年研发出的 3D 晶体管技术（鳍型晶体管）。英特尔之所以能在 12 年后率先量产出 22nm 晶体管，台积电与三星顺利过渡至 16/14nm 制程节点，FinFET功不可没。\n正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。\n但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。\n而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET（全栅场效应管），它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。\n\n图片来自泛林半导体\n与 FinFET不同的是，在 FinFET 中，较高电流需要多个并排的鳍片；GAA 晶体管的载流能力主要是通过垂直堆叠几个纳米片（上图），而栅极材料主要是包裹在沟道周围来提高的。纳米片的尺寸可以按比例缩放，以便晶体管可以按照要求的特定性能进行调整。\n听起来，“纳米片”的概念其实理解起来并不是那么困难；而且实际上，这项技术已经被研发多年。但其之所以不受业内“重用”，主要瓶颈就在于“材料”。\n根据泛林半导体给出的解释，GAA晶体管是通过“交替硅”和“硅锗外延层”的超晶格来制作的，这是构成纳米片的基础，此外制作工艺相对复杂，可能需要钌、钼、镍等各种合金新材料进行沉积、蚀刻、填充。\n\n 一位半导体专家这样给虎嗅总结：“它（GAA）将对半导体的基底材料进行更改，半导体连接的材料也要进行更改。同时整个晶体管的物理结构也要变化。”\n\n因此，带领团队开发这项技术的Sanjay Natarajan博士将英特尔的GAA——RibbonFET称为一次“晶体管性能上的重大飞跃”，并非虚话。\n根据测试芯片结果，他们预计RibbonFET晶体管带来的性能和密度提升，将超过当下的FinFET晶体管。而Intel 20A将是应用RibbonFET的第一枚芯片。\n\n而电能传输系统PowerVia则是英特尔工程师开发的一项独特技术。Sanjay Natarajan博士作为这项技术的开发负责人，指出半导体晶体管结构中存在的最大传统问题之一便是“布线效率低下”。\n“传统互连技术是在晶体管层的顶部进行互联，经常产生电源线和信号线的互混，导致了布线效率低下，进而影响性能和功耗。”\n他们的解决方法，便是把电源线置于晶体管层的下面（也就是晶圆的背面）。通过减少晶圆正面的电源布线，腾出更多的“空地儿”用于优化信号布线，并减少时延，实现更好的电能传输。\n\n值得注意的是，这两项将用于Intel20A的关键技术，虽然不可避免被人诟病为“仍然处于PPT状态”（毕竟还都是PPT），但英特尔的专家们展示了这些测试芯片的扫描电镜图像，显然经过了一系列测试。\n就像上面所说，它们的成功应用，将决定着英特尔是否能在5nm这个关键节点上进行反超。\n从时间来看，很明显，2019年时PPT上规划的“2023年实现7nm++”，与这次规划的“2024年实现Intel20A”没有多少间隔。也就是说，依然有机会在5nm这个节点上翻盘。\n\n英特尔2019年10月的制程产品规划图\n如基辛格所说，英特尔Intel20A在2024年的问世与两大关键技术的真正应用，将标志着半导体“埃米时代”（1埃米=0.1纳米）的启幕。\n现在来听，其实更像是英特尔在向外界喊话：你们以为我还想在“纳米时代”争夺领导权？不，我们要进入一个比纳米更小的单位去争夺话语权了。\n写在最后…希望不是PPT\n但话说回来，既然完全改变了以纳米为单位的命名体系，而且晶体管结构和材料正在发生下一轮巨大变化。此外，英特尔也在从封装技术层面提高芯片的带宽密度和能效……\n这一切难道不是意味着，所谓的纳米还是埃米的数字单位，已经越来越没意义了吗？\n英特尔嘴上说在捍卫摩尔定律，其实已经认识到不能再依靠摩尔定律。\n如今，Intel20A的制造工艺虽然官方说拿下了高通这个大订单，但距离2024年变数还有很大。我们虽然觉得英特尔这场发布会的意义重大，并且产品规划让人没有异议，但是PPT能够转变称真正的产品，还是需要实物说话。\n毕竟，当年延迟了4年的14nm产品，当时PPT做的也挺不错的。","news_type":1},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":336,"authorTweetTopStatus":1,"verified":2,"comments":[],"imageCount":0,"langContent":"EN","totalScore":0},{"id":808087297,"gmtCreate":1627544729719,"gmtModify":1703492037799,"author":{"id":"3586587763605977","authorId":"3586587763605977","authorIdStr":"3586587763605977","name":"程導绅","avatar":"https://static.tigerbbs.com/17e557db7a706e6821394c3f5dc700d2","crmLevel":1,"crmLevelSwitch":0,"followedFlag":false,"idStr":"3586587763605977"},"themes":[],"htmlText":"Hi","listText":"Hi","text":"Hi","images":[],"top":1,"highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"link":"https://ttm.financial/post/808087297","repostId":"2155908504","repostType":4,"repost":{"id":"2155908504","pubTimestamp":1627544101,"share":"https://ttm.financial/m/news/2155908504?lang=&edition=fundamental","pubTime":"2021-07-29 15:35","market":"us","language":"zh","title":"Taper渐近，难有恐慌","url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2155908504","media":"覃汉投资笔记","summary":"美联储7月FOMC会议要点总结：①经济已经朝削减QE取得一些进展并将在未来的会议上继续评估，与“进一步重大进展”（“substantial further progress”）的门槛仍有距离但也更近了","content":"<p>美联储7月FOMC会议要点总结：①经济已经朝削减QE取得一些进展并将在未来的会议上继续评估，与“进一步重大进展”（“substantial further progress”）的门槛仍有距离但也更近了；②淡化了市场对Delta变异病毒拖累经济前景的担忧；③重申通胀是暂时的，无需感到恐慌；④未来削减QE大概率会是国债和MBS一起减；⑤再次强调谈论加息过早；⑥设立常备回购便利工具（SRF），分为面向美国国内一级交易商和海外央行。</p>\n<p>本次会议最重要的信号，无疑就是美联储开始为削减QE购买（Taper）进行预热。政策沟通是门艺术，过于突兀与生硬，市场预期往往就会超调，引发资产价格剧烈波动，类似2013年5月的“削减恐慌”。所以，在本轮政策周期中，美联储政策退出和沟通的模式都是力求渐进、平滑和透明。</p>\n<p>本次会议声明措辞中，最重要的变化就是“经济目标已经取得一些进展并将在未来的会议上继续评估”。市场担忧的Delta变异病毒，并没有动摇美联储对经济前景整体乐观的预期，鲍威尔认为疫情对经济的冲击“可能一波比一波弱”。</p>\n<p>考虑到Taper的门槛是经济取得“进一步重大进展”，我们建议关注就业缺口的填补程度。本轮疫情造成的就业缺口截止6月仍差676万人未填补，恢复率为70%，而2013年12月美联储宣布Taper时，金融危机造成的就业缺口恢复率为88%，若下半年平均每月新增就业约69万人，年底12月实现类似的缺口恢复率难度不大。</p>\n<p>市场关心的始终是Taper的节奏，目前来看预期也逐渐走向一致。本次会议美联储按兵不动并不意外，市场普遍预期是8月Jackson Hole的央行年会或者9月FOMC会议将会是美联储开始暗示考虑Taper的时点，并且可能在2021年底或2022年初正式宣布Taper。我们则维持此前的判断，即12月FOMC会议宣布并在2022年开始执行。</p>\n<p>根据鲍威尔所言，7月FOMC会议是美联储官员首次针对未来Taper可能的时点和涉及品种进行深度内部讨论，虽然内部尚未对何时开始Taper形成共识，但倾向于一旦Taper就同时削减美国国债和MBS。</p>\n<p>回顾上一轮Taper，2014年美联储在每次会议上将每月购买额度（美国国债+MBS）减少100亿美元，并在10月会议上正式停止QE，历时10个月完成。对比当下，美联储每月购买额度（美国国债+MBS）为1200亿美元，若按照每月减少额度150亿美元，则大致需要8个月实现停止QE，如果12月宣布Taper，那么大致2022Q3结束。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/6292deabf5669e43200af797b2a273c6\" tg-width=\"550\" tg-height=\"417\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>通胀方面，本次会议再次确认了美联储基本放弃对通胀何时见顶的预测，但它的底线是守住长期通胀预期不能失控，这也是为何通胀数据连续超预期，美联储却依然坚信“通胀是暂时性”的原因。鲍威尔也强调“如果短期的物价水平上涨不会影响长期的通胀预期，那么它就很可能不会影响未来的通胀路径”。</p>\n<p>美联储最关注的通胀预期指标——共同通胀预期指数（CIE），该指数综合了专业预测者、家庭调查和市场隐含的通胀预期指标，而专业预测者和企业对通胀的预测往往比家庭调查或市场定价更准确。CIE从2020Q3的1.94%上行到2021Q2的2.05%，目前并没有跟随通胀数据而飙升。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/44dbded41058141db61cdcc3c83bff66\" tg-width=\"550\" tg-height=\"415\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>过去一个月美债利率之所以下行，主要来自于变异病毒肆虐叠加财政刺激僵局所引发的经济担忧，而之所以一度跌破1.2%，主要来自交易层面的技术因素（空头回补、养老金股债再平衡、海外需求较强等）。</p>\n<p>在10年美债利率跌破1.20%之际，我们需要思考的是当前美债利率对美国经济前景的定价是否过于悲观，尤其是考虑到此前1月底-2月初1.20%的水平对应的背景是美国财政刺激和疫苗大规模接种都还没有落地。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/d6a7a8ca1c0e4573b2e48caa2fd25614\" tg-width=\"550\" tg-height=\"428\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>考虑到当前美债利率对经济前景的定价过于悲观、技术性因素的驱动力量难以持续、以及美债熊市反弹空间约50bp的规律，下半年10年美债利率下行空间有限。</p>\n<p>回顾2013-2014年，2013Q3就业复苏放缓导致美联储在9-10月议息会议上按兵不动，10年美债利率从10.23低点2.51%累计上行38bp至12月议息会议前的2.89%。美联储在12.18正式官宣并在2014年初执行，10年美债利率再次上行15bp至年内高点3.04%见顶，随后在2014年重回下降通道（全球经济担忧）。</p>\n<p>参考历史经验，我们认为，随着美联储在三季度开始释放Taper信号，10年美债利率可能会再次上行，并在Taper官宣落地后逐步见顶，但很难突破前期高点1.70-1.80%。</p>\n<p>所以，接下来即使美债利率重回上行通道，但是斜率很难太陡，大概率处于宽幅区间震荡格局，再加上市场对联储退出宽松预期非常充分，所以不会再出现年初2-3月份那种因为美债利率上行对权益市场造成严重冲击的情况。（完）</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/4eedbbd7ea3f91182f1395c52927f0f6\" tg-width=\"550\" tg-height=\"417\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>","source":"lsy1620296573452","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>Taper渐近，难有恐慌</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; 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1-3年国债","QQQ":"纳指100ETF","SSO":"两倍做多标普500ETF"},"source_url":"https://cj.sina.cn/article/normal_detail?url=https://finance.sina.com.cn/money/bond/market/2021-07-29/doc-ikqciyzk8314250.shtml","is_english":false,"share_image_url":"https://static.laohu8.com/e9f99090a1c2ed51c021029395664489","article_id":"2155908504","content_text":"美联储7月FOMC会议要点总结：①经济已经朝削减QE取得一些进展并将在未来的会议上继续评估，与“进一步重大进展”（“substantial further 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Hole的央行年会或者9月FOMC会议将会是美联储开始暗示考虑Taper的时点，并且可能在2021年底或2022年初正式宣布Taper。我们则维持此前的判断，即12月FOMC会议宣布并在2022年开始执行。\n根据鲍威尔所言，7月FOMC会议是美联储官员首次针对未来Taper可能的时点和涉及品种进行深度内部讨论，虽然内部尚未对何时开始Taper形成共识，但倾向于一旦Taper就同时削减美国国债和MBS。\n回顾上一轮Taper，2014年美联储在每次会议上将每月购买额度（美国国债+MBS）减少100亿美元，并在10月会议上正式停止QE，历时10个月完成。对比当下，美联储每月购买额度（美国国债+MBS）为1200亿美元，若按照每月减少额度150亿美元，则大致需要8个月实现停止QE，如果12月宣布Taper，那么大致2022Q3结束。\n\n通胀方面，本次会议再次确认了美联储基本放弃对通胀何时见顶的预测，但它的底线是守住长期通胀预期不能失控，这也是为何通胀数据连续超预期，美联储却依然坚信“通胀是暂时性”的原因。鲍威尔也强调“如果短期的物价水平上涨不会影响长期的通胀预期，那么它就很可能不会影响未来的通胀路径”。\n美联储最关注的通胀预期指标——共同通胀预期指数（CIE），该指数综合了专业预测者、家庭调查和市场隐含的通胀预期指标，而专业预测者和企业对通胀的预测往往比家庭调查或市场定价更准确。CIE从2020Q3的1.94%上行到2021Q2的2.05%，目前并没有跟随通胀数据而飙升。\n\n过去一个月美债利率之所以下行，主要来自于变异病毒肆虐叠加财政刺激僵局所引发的经济担忧，而之所以一度跌破1.2%，主要来自交易层面的技术因素（空头回补、养老金股债再平衡、海外需求较强等）。\n在10年美债利率跌破1.20%之际，我们需要思考的是当前美债利率对美国经济前景的定价是否过于悲观，尤其是考虑到此前1月底-2月初1.20%的水平对应的背景是美国财政刺激和疫苗大规模接种都还没有落地。\n\n考虑到当前美债利率对经济前景的定价过于悲观、技术性因素的驱动力量难以持续、以及美债熊市反弹空间约50bp的规律，下半年10年美债利率下行空间有限。\n回顾2013-2014年，2013Q3就业复苏放缓导致美联储在9-10月议息会议上按兵不动，10年美债利率从10.23低点2.51%累计上行38bp至12月议息会议前的2.89%。美联储在12.18正式官宣并在2014年初执行，10年美债利率再次上行15bp至年内高点3.04%见顶，随后在2014年重回下降通道（全球经济担忧）。\n参考历史经验，我们认为，随着美联储在三季度开始释放Taper信号，10年美债利率可能会再次上行，并在Taper官宣落地后逐步见顶，但很难突破前期高点1.70-1.80%。\n所以，接下来即使美债利率重回上行通道，但是斜率很难太陡，大概率处于宽幅区间震荡格局，再加上市场对联储退出宽松预期非常充分，所以不会再出现年初2-3月份那种因为美债利率上行对权益市场造成严重冲击的情况。（完）","news_type":1},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":219,"authorTweetTopStatus":1,"verified":2,"comments":[],"imageCount":0,"langContent":"EN","totalScore":0},{"id":127346059,"gmtCreate":1624837541771,"gmtModify":1703845682609,"author":{"id":"3586587763605977","authorId":"3586587763605977","authorIdStr":"3586587763605977","name":"程導绅","avatar":"https://static.tigerbbs.com/17e557db7a706e6821394c3f5dc700d2","crmLevel":1,"crmLevelSwitch":0,"followedFlag":false,"idStr":"3586587763605977"},"themes":[],"htmlText":"??","listText":"??","text":"??","images":[],"top":1,"highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"link":"https://ttm.financial/post/127346059","repostId":"2146121007","repostType":4,"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":363,"authorTweetTopStatus":1,"verified":2,"comments":[],"imageCount":0,"langContent":"EN","totalScore":0},{"id":124650528,"gmtCreate":1624763473364,"gmtModify":1703844687981,"author":{"id":"3586587763605977","authorId":"3586587763605977","authorIdStr":"3586587763605977","name":"程導绅","avatar":"https://static.tigerbbs.com/17e557db7a706e6821394c3f5dc700d2","crmLevel":1,"crmLevelSwitch":0,"followedFlag":false,"idStr":"3586587763605977"},"themes":[],"htmlText":"??","listText":"??","text":"??","images":[],"top":1,"highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":2,"commentSize":0,"repostSize":0,"link":"https://ttm.financial/post/124650528","repostId":"1165215748","repostType":4,"repost":{"id":"1165215748","pubTimestamp":1624762603,"share":"https://ttm.financial/m/news/1165215748?lang=&edition=fundamental","pubTime":"2021-06-27 10:56","market":"other","language":"zh","title":"24小时32亿元爆仓，虚拟货币全线崩溃，矿机5折甩卖","url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=1165215748","media":"中国证券报","summary":"北京时间6月26日晚间，比特币再度暴跌，一度下探30000美元，将这半年积累的涨幅悉数跌去。\n这也是比特币本月第二次跌至30000美元，彻底粉碎了炒币者的信心。\n仅仅两个月，虚拟货币市场的风向就出现了","content":"<div>\n<p>北京时间6月26日晚间，比特币再度暴跌，一度下探30000美元，将这半年积累的涨幅悉数跌去。\n这也是比特币本月第二次跌至30000美元，彻底粉碎了炒币者的信心。\n仅仅两个月，虚拟货币市场的风向就出现了大逆转。\n虚拟货币全线崩溃\n北京时间6月26日晚间，在30000美元一线拉扯3天之后，比特币价格急转直下，较4月14日的年内最高价64900美元，跌超53.5%。目前价格已回归至今年初特斯拉CEO埃隆...</p>\n\n<a href=\"https://mp.weixin.qq.com/s/FhLRf65HJ8EHrcKXMRJu1Q\">Web Link</a>\n\n</div>\n","source":"zgzqb","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" 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原来用来交流的矿工群，现在已经用来卖变压器和矿机了。比特大陆S19jPRO-100T型号的矿机售价由7万多元腰斩至3万元左右。“只要能卖出去，什么价格都能接受。”\n\n图片来源：矿机卖家\n由于大量二手现货涌向市场，全球最大的加密货币矿机厂商比特大陆日前宣布，二手市场出货压力很大，为了帮助行业平稳过渡，决定全球暂时停售现货。","news_type":1},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":235,"authorTweetTopStatus":1,"verified":2,"comments":[],"imageCount":0,"langContent":"EN","totalScore":0}],"hots":[{"id":124650528,"gmtCreate":1624763473364,"gmtModify":1703844687981,"author":{"id":"3586587763605977","authorId":"3586587763605977","authorIdStr":"3586587763605977","name":"程導绅","avatar":"https://static.tigerbbs.com/17e557db7a706e6821394c3f5dc700d2","crmLevel":1,"crmLevelSwitch":0,"followedFlag":false,"idStr":"3586587763605977"},"themes":[],"htmlText":"??","listText":"??","text":"??","images":[],"top":1,"highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":2,"commentSize":0,"repostSize":0,"link":"https://ttm.financial/post/124650528","repostId":"1165215748","repostType":4,"repost":{"id":"1165215748","pubTimestamp":1624762603,"share":"https://ttm.financial/m/news/1165215748?lang=&edition=fundamental","pubTime":"2021-06-27 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原来用来交流的矿工群，现在已经用来卖变压器和矿机了。比特大陆S19jPRO-100T型号的矿机售价由7万多元腰斩至3万元左右。“只要能卖出去，什么价格都能接受。”\n\n图片来源：矿机卖家\n由于大量二手现货涌向市场，全球最大的加密货币矿机厂商比特大陆日前宣布，二手市场出货压力很大，为了帮助行业平稳过渡，决定全球暂时停售现货。","news_type":1},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":235,"authorTweetTopStatus":1,"verified":2,"comments":[],"imageCount":0,"langContent":"EN","totalScore":0},{"id":808060065,"gmtCreate":1627544752157,"gmtModify":1703492038287,"author":{"id":"3586587763605977","authorId":"3586587763605977","authorIdStr":"3586587763605977","name":"程導绅","avatar":"https://static.tigerbbs.com/17e557db7a706e6821394c3f5dc700d2","crmLevel":1,"crmLevelSwitch":0,"followedFlag":false,"idStr":"3586587763605977"},"themes":[],"htmlText":"Oh","listText":"Oh","text":"Oh","images":[],"top":1,"highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"link":"https://ttm.financial/post/808060065","repostId":"1187897781","repostType":4,"repost":{"id":"1187897781","weMediaInfo":{"introduction":"有视角的商业资讯交流平台","home_visible":1,"media_name":"虎嗅APP","id":"101","head_image":"https://static.tigerbbs.com/98669fe7974e42f3976b3db47528792d"},"pubTimestamp":1627544195,"share":"https://ttm.financial/m/news/1187897781?lang=&edition=fundamental","pubTime":"2021-07-29 15:36","market":"us","language":"zh","title":"英特尔投下埃米炸弹：台积电的夸大宣传该到头了","url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=1187897781","media":"虎嗅APP","summary":"自从去年英特尔被100%确凿证据证实了在10nm制程上的延期，以及在7nm制程上全面落后于台积电，丧失全球制程领导地位后，大众舆论对这家美国唯一从设计、制造到封测全覆盖的半导体企业的态度，呈现出惊人的","content":"<p>自从去年英特尔被100%确凿证据证实了在10nm制程上的延期，以及在7nm制程上全面落后于台积电，丧失全球制程领导地位后，大众舆论对这家美国唯一从设计、制造到封测全覆盖的半导体企业的态度，呈现出惊人的一致变化：</p>\n<p>除了竞争对手和看热闹不嫌事大一样的顺便踩一脚，这种“批判趋势”到最后似乎演变成——<b>这家半导体顶级巨头剩下的日子似乎屈指可数了。</b></p>\n<p>技术创新层面遭遇的危机也蔓延至他们的财务数据上，从2020年Q1到2021年Q3，英特尔净利润连续3个季度下滑；而历来作为<b>数据中心市场的绝对王者</b>，英特尔这一业务板块的收入也在三个季度内持续下降。</p>\n<p>2021年5月，权威市场调研机构 IC Insights发布的《2021年Q1全球Top15半导体公司业绩与排名》指出，英特尔虽然位列第一，但却是所有厂商中唯一一家营收下滑的企业。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/ddcac03ab5d13481ff896474f8ff1274\" tg-width=\"550\" tg-height=\"277\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自IC Insights</p>\n<p>英特尔当然焦虑。这种焦虑可能体现在：</p>\n<ul>\n <li><p>受到资本市场巨大压力，2021年年初突然换帅，重新启用有40年制造技术履历的帕特·基辛格(Pat Gelsinger)为新任CEO。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>迅速接受了阿斯麦比自己更为先进的EUV制造工艺，用了大约两个季度的时间修复了7nm技术。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>在制造环节投入巨资。今年3月，帕特·基辛格正式公布十分关键的“IDM 2.0”战略，宣布重返晶圆代工市场，<b>同时宣布投资200亿美元在美国亚利桑那州新建两座晶圆厂</b>；5月再次宣布，<b>投资35亿美元升级新墨西哥州工厂，投资100亿美元在以色列兴建的芯片厂，还计划在欧盟建厂。</b></p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>越来越多的英特尔半导体技术专家现身说法，为自己的制造技术正名，强调“每家晶圆厂的制程数据有对外宣传的差异”。</p></li>\n</ul>\n<p>当然，根据虎嗅平台的观察和媒体反应，在国内大大小小的人工智能、物联网以及数据中心市场活动上，你能越来越多次看到英特尔出现的身影。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/4bfc85ebc4b88c6abf9345706cd0d652\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"601\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>英特尔 CEO 帕特·基辛格</p>\n<p>以重新夺回“制程节点”为目标的英特尔，今年3月发布的“IDM2.0战略”就以大手笔和”绝不放弃制造”的态度虽然引起产业重视，但因为表现不佳的财报状况持续受到争议；</p>\n<p>而昨天，包括CEO基辛格在内的4位英特尔高级制造技术专家，再次通过大范围公开英特尔的制程技术和实现路径，<b>向半导体产业投掷了一枚“新炸弹”：</b></p>\n<ul>\n <li><p>英特尔的确在10nm和7nm有所延迟（如果感兴趣，可以看我的这篇文章《英特尔退位，台积电称王》），但在5nm节点上，英特尔自认为非但没有延迟，反而会完成超越。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>为了应对台积电等对手的“制程虚假宣传”，以及纠正大家对制程的认知误区，英特尔直接舍弃了“10nm，7nm，5nm，3nm”这一本质上由摩尔定律决定的说法，而是直接采用100%英特尔主观视角的新命名体系——Intel7，Intel4，Intel3，Intel20A，Intel18A。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>这一次公开的Intel20A，本质对应的就是5nm制程。<b>这是一个英特尔近2年来闭口不谈的制程节点，相关时间计划基本到7nm就戛然截止了。英特尔</b>首次宣布将通过Intel20A，进入“埃米时代”。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>Intel20A背后两大关键技术非常值得注意。其中，这个制程将会采用全新的晶体管结构Gate-All-Around，并非是为22nm以下制程产品化立下汗马功劳的FinFET结构。</p></li>\n</ul>\n<p>换言之，这种应用了新材料的新结构芯片，将会对传统制程概念，产生重大改变。就如一位半导体技术专家告诉虎嗅：“这种新的材料结构，制程这些几纳米啥的就没那么大的关系了。”</p>\n<p><b>英特尔新制程命名体系：快醒醒，客户们</b></p>\n<p>关于制程的命名问题，被产业诟病已久。</p>\n<p>譬如我们曾在《英特尔退位，台积电称王》这篇文章里提及，业内不少工程师认为，英特尔在对待“纳米”制程数字的态度更实在，甚至表示“英特尔的10nm芯片对标的其实是台积电的7nm，甚至比后者的7nm都好”。</p>\n<p>这也是基辛格上任后，多次在公开场合呼吁大家正确理解“制程数字”：</p>\n<blockquote>\n “包括英特尔在内，使用着各不相同的制程节点命名和编号方案，这些方案既不指代任何具体的度量方法，也无法全面展现如何实现芯片能效和性能的最佳平衡。”\n</blockquote>\n<p>这就像是车展上那些号称自己芯片达到几百几千Tops的汽车，也像是加州每年发布的《自动驾驶接管报告》——没有统一测试条件和足够的企业诚信度，就绝对不配说出“谁比谁性能好”的结论。</p>\n<p>所以，英特尔这次兴师动众地更换了命名体系，美名曰：“让客户对整个行业的制程节点演进有一个更准确认知，进而做出更明智的决策”，<b>其实主要目的就是对付台积电和三星不那么太靠谱的5nm和3nm制程名字。</b></p>\n<ul>\n <li><p>2021年下半年将推出的Intel 7 （是不是至少看起来像是7nm？），其实就是英特尔之前发布的10nm Enhanced SuperFin；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2023年上半年发布的Intel 4（至少看起来像4nm？），其实就是英特尔之前PPT的7nm；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2023年下半年发布的Intel3，其实就是英特尔之前PPT上的7nm+；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p><b>2024年上半年发布的Intel20A（看起来像不像2nm？），其实就是英特尔标准下的5nm；</b></p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2025年上半年发布Intel18A，其实就是英特尔标准下的5nm+。</p></li>\n</ul>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/1ce380fc9b07caca9a43fa165a2e90a8\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"471\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自英特尔</p>\n<p>实际上，随着晶体管结构的愈加复杂，早在21世纪初，产业内就开始对芯片的纳米制程命名有了“分化趋势”。</p>\n<p>我们都清楚，微处理器是由以特定方式连接起来的数十亿晶体管组成。这些晶体管充当了“开关”的角色，负责处理电子数据的1和0。</p>\n<p>基辛格解释，在晶体管顶部有一个区域叫“栅极”，它决定了晶体管是开启还是关闭。而“制程节点”指代的是晶体管所需的数千个制造步骤组成的复杂方案。</p>\n<p>而所有最顶级半导体公司几乎都有同一个目标——让这些芯片变得更小、更快、更便宜、更高能效——最好的例子莫过于苹果的5nm制程芯片M1（有太多关于M1的测评可以去看，我也买了一台M1的Macbook Air，爱不释手）。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/ae99fc8b1663fb184dc959320da5b5a1\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"384\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>最初，制程工艺“节点”的名称与晶体管的栅极长度相对应，并以“微米”为度量单位。<b>随着晶体管越变越小，栅极的长度越来越微缩，产业开始以纳米为度量单位。</b></p>\n<p>而关于制程命名改变的关键节点出现在1997年。</p>\n<p>“随着技术进步和应变硅（strained silicon）等其他创新技术的出现，除了缩小晶体管，更快、更便宜和更高能效也变得同样重要。” 基辛格认为，从这时开始，<b>传统命名方法不再与实际的晶体管栅极长度相匹配。</b></p>\n<p><b>换言之，晶体管尺寸在某种程度上不是唯一的决定因素，它们之间的“互连”等因素也不能忽略。</b></p>\n<p>2011年，在英特尔推出FinFET晶体管结构技术后，行业进一步分化。这是一种构建晶体管的全新方式，具有独特的形状和结构。</p>\n<p>这个结构就是将停滞不前的22nm继续往下缩进的关键技术。<b>但要很显然，从22nm开始，不要说大众，就连产业内对制程数字的理解与它的实际“坐标”也开始逐渐脱离。</b></p>\n<p><b>这也是英特尔如今建立新命名体系的根本缘由。</b></p>\n<blockquote>\n 正如虎嗅之前在采访工程师时得到的答案：“英特尔在制造工艺标准制定上相对更激进，要求也更高。但的确制程延迟了1~2年，说落后并不意味着他们没有追赶的可能性。”\n</blockquote>\n<p>但英特尔这次大刀阔斧的制程<b>更名</b>，<b>也许不是不相信自己，而是嗅到了市场和资本已经被“命名”困惑已久（譬如开头），甚至依此来做出商务判断的残酷现实。</b></p>\n<p>不过我们想到了一个问题——即便推出了新命名产品，客户没有理由不问一句：“你这intel7到底几纳米？对标的是台积电的几纳米？”</p>\n<p>说实话，我们更想知道英特尔在遇到这个问题时怎么回答。</p>\n<p>誓死捍卫摩尔定律？</p>\n<p>基辛格在这次可谓是极为详尽的“制程技术科普会”上，至少提了三次关于“摩尔定律不会消亡，英特尔会通过各种方法，如改材料、晶体管结构，以及封装等角度，继续来延续摩尔定律”的决心。</p>\n<p>实话讲，除了这个意味深长的新命名体系，<b>英特尔最有趣且最应该受到关注的产品，毫无疑问是Intel3之后的Intel20A。</b></p>\n<p>（当然，Intel4 将作为第一批应用阿斯麦高数值孔径（High-NA）极紫外辐射光刻技术(EUV)的处理器也倍受瞩目，但象征意义不如Intel20A。）</p>\n<p>Intel 20A（5nm）之所以被英特尔称为历史上制程技术发展的下一个分水岭，是因为它是第一块应用英特尔两大“开创性技术”的芯片：</p>\n<ul>\n <li><p><b>替代FinFET的全新晶体管架构 Gate-All-Around（英特尔把它命名为RibbonFET）</b></p></li>\n <li><p><b>能够解决“互联瓶颈”的电能传输系统PowerVia。</b></p></li>\n</ul>\n<p>FinFET技术的重要性已经无须赘述。</p>\n<p>它是加州伯克利大学电子工程与计算机专业教授胡正明在1999年研发出的 3D 晶体管技术（鳍型晶体管）。英特尔之所以能在 12 年后率先量产出 22nm 晶体管，台积电与三星顺利过渡至 16/14nm 制程节点，FinFET功不可没。</p>\n<p>正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。</p>\n<p>但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。</p>\n<p>而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET（全栅场效应管），它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/6a6fca1343877c136cbeef1a4caedada\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"255\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自泛林半导体</p>\n<p>与 FinFET不同的是，在 FinFET 中，较高电流需要多个并排的鳍片；GAA 晶体管的载流能力主要是通过垂直堆叠几个纳米片（上图），而栅极材料主要是包裹在沟道周围来提高的。纳米片的尺寸可以按比例缩放，以便晶体管可以按照要求的特定性能进行调整。</p>\n<p>听起来，“纳米片”的概念其实理解起来并不是那么困难；而且实际上，这项技术已经被研发多年。但其之所以不受业内“重用”，<b>主要瓶颈就在于“材料”</b>。</p>\n<p>根据泛林半导体给出的解释，GAA晶体管是通过“交替硅”和“硅锗外延层”的超晶格来制作的，这是构成纳米片的基础，此外制作工艺相对复杂，可能需要钌、钼、镍等各种合金新材料进行沉积、蚀刻、填充。</p>\n<blockquote>\n 一位半导体专家这样给虎嗅总结：“它（GAA）将对半导体的基底材料进行更改，半导体连接的材料也要进行更改。同时整个晶体管的物理结构也要变化。”\n</blockquote>\n<p>因此，带领团队开发这项技术的Sanjay Natarajan博士将英特尔的GAA——RibbonFET称为一次“晶体管性能上的重大飞跃”，并非虚话。</p>\n<p>根据测试芯片结果，他们预计RibbonFET晶体管带来的性能和密度提升，将超过当下的FinFET晶体管。而Intel 20A将是应用RibbonFET的第一枚芯片。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/e0a40c6ececaec4fa8741e6781f30b32\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"487\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>而电能传输系统PowerVia则是英特尔工程师开发的一项独特技术。Sanjay Natarajan博士作为这项技术的开发负责人，指出半导体晶体管结构中存在的最大传统问题之一便是“布线效率低下”。</p>\n<p>“传统互连技术是在晶体管层的顶部进行互联，经常产生电源线和信号线的互混，导致了布线效率低下，进而影响性能和功耗。”</p>\n<p>他们的解决方法，便是把电源线置于晶体管层的下面（也就是晶圆的背面）。通过减少晶圆正面的电源布线，腾出更多的“空地儿”用于优化信号布线，并减少时延，实现更好的电能传输。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/711724a13d34832717d6e33d027d163f\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"603\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>值得注意的是，这两项将用于Intel20A的关键技术，虽然不可避免被人诟病为“仍然处于PPT状态”（毕竟还都是PPT），但英特尔的专家们展示了这些测试芯片的扫描电镜图像，显然经过了一系列测试。</p>\n<p>就像上面所说，它们的成功应用，将决定着英特尔是否能在5nm这个关键节点上进行反超。</p>\n<p>从时间来看，很明显，2019年时PPT上规划的“2023年实现7nm++”，与这次规划的“2024年实现Intel20A”没有多少间隔。也就是说，依然有机会在5nm这个节点上翻盘。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/9858abda999ad2b18407fdde87b7e61c\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"561\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>英特尔2019年10月的制程产品规划图</p>\n<p>如基辛格所说，英特尔Intel20A在2024年的问世与两大关键技术的真正应用，将标志着半导体“埃米时代”（1埃米=0.1纳米）的启幕。</p>\n<p>现在来听，其实更像是英特尔在向外界喊话：你们以为我还想在“纳米时代”争夺领导权？不，我们要进入一个比纳米更小的单位去争夺话语权了。</p>\n<p><b>写在最后…希望不是PPT</b></p>\n<p>但话说回来，既然完全改变了以纳米为单位的命名体系，而且晶体管结构和材料正在发生下一轮巨大变化。此外，英特尔也在从封装技术层面提高芯片的带宽密度和能效……</p>\n<p>这一切难道不是意味着，所谓的纳米还是埃米的数字单位，已经越来越没意义了吗？</p>\n<p><b>英特尔嘴上说在捍卫摩尔定律，其实已经认识到不能再依靠摩尔定律。</b></p>\n<p>如今，Intel20A的制造工艺虽然官方说拿下了高通这个大订单，但距离2024年变数还有很大。我们虽然觉得英特尔这场发布会的意义重大，并且产品规划让人没有异议，但是PPT能够转变称真正的产品，还是需要实物说话。</p>\n<p>毕竟，当年延迟了4年的14nm产品，当时PPT做的也挺不错的。</p>","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>英特尔投下埃米炸弹：台积电的夸大宣传该到头了</title>\n<style 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15:36</p>\n</div>\n\n</a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<p>自从去年英特尔被100%确凿证据证实了在10nm制程上的延期，以及在7nm制程上全面落后于台积电，丧失全球制程领导地位后，大众舆论对这家美国唯一从设计、制造到封测全覆盖的半导体企业的态度，呈现出惊人的一致变化：</p>\n<p>除了竞争对手和看热闹不嫌事大一样的顺便踩一脚，这种“批判趋势”到最后似乎演变成——<b>这家半导体顶级巨头剩下的日子似乎屈指可数了。</b></p>\n<p>技术创新层面遭遇的危机也蔓延至他们的财务数据上，从2020年Q1到2021年Q3，英特尔净利润连续3个季度下滑；而历来作为<b>数据中心市场的绝对王者</b>，英特尔这一业务板块的收入也在三个季度内持续下降。</p>\n<p>2021年5月，权威市场调研机构 IC Insights发布的《2021年Q1全球Top15半导体公司业绩与排名》指出，英特尔虽然位列第一，但却是所有厂商中唯一一家营收下滑的企业。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/ddcac03ab5d13481ff896474f8ff1274\" tg-width=\"550\" tg-height=\"277\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自IC Insights</p>\n<p>英特尔当然焦虑。这种焦虑可能体现在：</p>\n<ul>\n <li><p>受到资本市场巨大压力，2021年年初突然换帅，重新启用有40年制造技术履历的帕特·基辛格(Pat Gelsinger)为新任CEO。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>迅速接受了阿斯麦比自己更为先进的EUV制造工艺，用了大约两个季度的时间修复了7nm技术。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>在制造环节投入巨资。今年3月，帕特·基辛格正式公布十分关键的“IDM 2.0”战略，宣布重返晶圆代工市场，<b>同时宣布投资200亿美元在美国亚利桑那州新建两座晶圆厂</b>；5月再次宣布，<b>投资35亿美元升级新墨西哥州工厂，投资100亿美元在以色列兴建的芯片厂，还计划在欧盟建厂。</b></p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>越来越多的英特尔半导体技术专家现身说法，为自己的制造技术正名，强调“每家晶圆厂的制程数据有对外宣传的差异”。</p></li>\n</ul>\n<p>当然，根据虎嗅平台的观察和媒体反应，在国内大大小小的人工智能、物联网以及数据中心市场活动上，你能越来越多次看到英特尔出现的身影。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/4bfc85ebc4b88c6abf9345706cd0d652\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"601\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>英特尔 CEO 帕特·基辛格</p>\n<p>以重新夺回“制程节点”为目标的英特尔，今年3月发布的“IDM2.0战略”就以大手笔和”绝不放弃制造”的态度虽然引起产业重视，但因为表现不佳的财报状况持续受到争议；</p>\n<p>而昨天，包括CEO基辛格在内的4位英特尔高级制造技术专家，再次通过大范围公开英特尔的制程技术和实现路径，<b>向半导体产业投掷了一枚“新炸弹”：</b></p>\n<ul>\n <li><p>英特尔的确在10nm和7nm有所延迟（如果感兴趣，可以看我的这篇文章《英特尔退位，台积电称王》），但在5nm节点上，英特尔自认为非但没有延迟，反而会完成超越。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>为了应对台积电等对手的“制程虚假宣传”，以及纠正大家对制程的认知误区，英特尔直接舍弃了“10nm，7nm，5nm，3nm”这一本质上由摩尔定律决定的说法，而是直接采用100%英特尔主观视角的新命名体系——Intel7，Intel4，Intel3，Intel20A，Intel18A。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>这一次公开的Intel20A，本质对应的就是5nm制程。<b>这是一个英特尔近2年来闭口不谈的制程节点，相关时间计划基本到7nm就戛然截止了。英特尔</b>首次宣布将通过Intel20A，进入“埃米时代”。</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>Intel20A背后两大关键技术非常值得注意。其中，这个制程将会采用全新的晶体管结构Gate-All-Around，并非是为22nm以下制程产品化立下汗马功劳的FinFET结构。</p></li>\n</ul>\n<p>换言之，这种应用了新材料的新结构芯片，将会对传统制程概念，产生重大改变。就如一位半导体技术专家告诉虎嗅：“这种新的材料结构，制程这些几纳米啥的就没那么大的关系了。”</p>\n<p><b>英特尔新制程命名体系：快醒醒，客户们</b></p>\n<p>关于制程的命名问题，被产业诟病已久。</p>\n<p>譬如我们曾在《英特尔退位，台积电称王》这篇文章里提及，业内不少工程师认为，英特尔在对待“纳米”制程数字的态度更实在，甚至表示“英特尔的10nm芯片对标的其实是台积电的7nm，甚至比后者的7nm都好”。</p>\n<p>这也是基辛格上任后，多次在公开场合呼吁大家正确理解“制程数字”：</p>\n<blockquote>\n “包括英特尔在内，使用着各不相同的制程节点命名和编号方案，这些方案既不指代任何具体的度量方法，也无法全面展现如何实现芯片能效和性能的最佳平衡。”\n</blockquote>\n<p>这就像是车展上那些号称自己芯片达到几百几千Tops的汽车，也像是加州每年发布的《自动驾驶接管报告》——没有统一测试条件和足够的企业诚信度，就绝对不配说出“谁比谁性能好”的结论。</p>\n<p>所以，英特尔这次兴师动众地更换了命名体系，美名曰：“让客户对整个行业的制程节点演进有一个更准确认知，进而做出更明智的决策”，<b>其实主要目的就是对付台积电和三星不那么太靠谱的5nm和3nm制程名字。</b></p>\n<ul>\n <li><p>2021年下半年将推出的Intel 7 （是不是至少看起来像是7nm？），其实就是英特尔之前发布的10nm Enhanced SuperFin；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2023年上半年发布的Intel 4（至少看起来像4nm？），其实就是英特尔之前PPT的7nm；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2023年下半年发布的Intel3，其实就是英特尔之前PPT上的7nm+；</p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p><b>2024年上半年发布的Intel20A（看起来像不像2nm？），其实就是英特尔标准下的5nm；</b></p></li>\n</ul>\n<ul>\n <li><p>2025年上半年发布Intel18A，其实就是英特尔标准下的5nm+。</p></li>\n</ul>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/1ce380fc9b07caca9a43fa165a2e90a8\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"471\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自英特尔</p>\n<p>实际上，随着晶体管结构的愈加复杂，早在21世纪初，产业内就开始对芯片的纳米制程命名有了“分化趋势”。</p>\n<p>我们都清楚，微处理器是由以特定方式连接起来的数十亿晶体管组成。这些晶体管充当了“开关”的角色，负责处理电子数据的1和0。</p>\n<p>基辛格解释，在晶体管顶部有一个区域叫“栅极”，它决定了晶体管是开启还是关闭。而“制程节点”指代的是晶体管所需的数千个制造步骤组成的复杂方案。</p>\n<p>而所有最顶级半导体公司几乎都有同一个目标——让这些芯片变得更小、更快、更便宜、更高能效——最好的例子莫过于苹果的5nm制程芯片M1（有太多关于M1的测评可以去看，我也买了一台M1的Macbook Air，爱不释手）。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/ae99fc8b1663fb184dc959320da5b5a1\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"384\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>最初，制程工艺“节点”的名称与晶体管的栅极长度相对应，并以“微米”为度量单位。<b>随着晶体管越变越小，栅极的长度越来越微缩，产业开始以纳米为度量单位。</b></p>\n<p>而关于制程命名改变的关键节点出现在1997年。</p>\n<p>“随着技术进步和应变硅（strained silicon）等其他创新技术的出现，除了缩小晶体管，更快、更便宜和更高能效也变得同样重要。” 基辛格认为，从这时开始，<b>传统命名方法不再与实际的晶体管栅极长度相匹配。</b></p>\n<p><b>换言之，晶体管尺寸在某种程度上不是唯一的决定因素，它们之间的“互连”等因素也不能忽略。</b></p>\n<p>2011年，在英特尔推出FinFET晶体管结构技术后，行业进一步分化。这是一种构建晶体管的全新方式，具有独特的形状和结构。</p>\n<p>这个结构就是将停滞不前的22nm继续往下缩进的关键技术。<b>但要很显然，从22nm开始，不要说大众，就连产业内对制程数字的理解与它的实际“坐标”也开始逐渐脱离。</b></p>\n<p><b>这也是英特尔如今建立新命名体系的根本缘由。</b></p>\n<blockquote>\n 正如虎嗅之前在采访工程师时得到的答案：“英特尔在制造工艺标准制定上相对更激进，要求也更高。但的确制程延迟了1~2年，说落后并不意味着他们没有追赶的可能性。”\n</blockquote>\n<p>但英特尔这次大刀阔斧的制程<b>更名</b>，<b>也许不是不相信自己，而是嗅到了市场和资本已经被“命名”困惑已久（譬如开头），甚至依此来做出商务判断的残酷现实。</b></p>\n<p>不过我们想到了一个问题——即便推出了新命名产品，客户没有理由不问一句：“你这intel7到底几纳米？对标的是台积电的几纳米？”</p>\n<p>说实话，我们更想知道英特尔在遇到这个问题时怎么回答。</p>\n<p>誓死捍卫摩尔定律？</p>\n<p>基辛格在这次可谓是极为详尽的“制程技术科普会”上，至少提了三次关于“摩尔定律不会消亡，英特尔会通过各种方法，如改材料、晶体管结构，以及封装等角度，继续来延续摩尔定律”的决心。</p>\n<p>实话讲，除了这个意味深长的新命名体系，<b>英特尔最有趣且最应该受到关注的产品，毫无疑问是Intel3之后的Intel20A。</b></p>\n<p>（当然，Intel4 将作为第一批应用阿斯麦高数值孔径（High-NA）极紫外辐射光刻技术(EUV)的处理器也倍受瞩目，但象征意义不如Intel20A。）</p>\n<p>Intel 20A（5nm）之所以被英特尔称为历史上制程技术发展的下一个分水岭，是因为它是第一块应用英特尔两大“开创性技术”的芯片：</p>\n<ul>\n <li><p><b>替代FinFET的全新晶体管架构 Gate-All-Around（英特尔把它命名为RibbonFET）</b></p></li>\n <li><p><b>能够解决“互联瓶颈”的电能传输系统PowerVia。</b></p></li>\n</ul>\n<p>FinFET技术的重要性已经无须赘述。</p>\n<p>它是加州伯克利大学电子工程与计算机专业教授胡正明在1999年研发出的 3D 晶体管技术（鳍型晶体管）。英特尔之所以能在 12 年后率先量产出 22nm 晶体管，台积电与三星顺利过渡至 16/14nm 制程节点，FinFET功不可没。</p>\n<p>正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。</p>\n<p>但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。</p>\n<p>而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET（全栅场效应管），它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/6a6fca1343877c136cbeef1a4caedada\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"255\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>图片来自泛林半导体</p>\n<p>与 FinFET不同的是，在 FinFET 中，较高电流需要多个并排的鳍片；GAA 晶体管的载流能力主要是通过垂直堆叠几个纳米片（上图），而栅极材料主要是包裹在沟道周围来提高的。纳米片的尺寸可以按比例缩放，以便晶体管可以按照要求的特定性能进行调整。</p>\n<p>听起来，“纳米片”的概念其实理解起来并不是那么困难；而且实际上，这项技术已经被研发多年。但其之所以不受业内“重用”，<b>主要瓶颈就在于“材料”</b>。</p>\n<p>根据泛林半导体给出的解释，GAA晶体管是通过“交替硅”和“硅锗外延层”的超晶格来制作的，这是构成纳米片的基础，此外制作工艺相对复杂，可能需要钌、钼、镍等各种合金新材料进行沉积、蚀刻、填充。</p>\n<blockquote>\n 一位半导体专家这样给虎嗅总结：“它（GAA）将对半导体的基底材料进行更改，半导体连接的材料也要进行更改。同时整个晶体管的物理结构也要变化。”\n</blockquote>\n<p>因此，带领团队开发这项技术的Sanjay Natarajan博士将英特尔的GAA——RibbonFET称为一次“晶体管性能上的重大飞跃”，并非虚话。</p>\n<p>根据测试芯片结果，他们预计RibbonFET晶体管带来的性能和密度提升，将超过当下的FinFET晶体管。而Intel 20A将是应用RibbonFET的第一枚芯片。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/e0a40c6ececaec4fa8741e6781f30b32\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"487\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>而电能传输系统PowerVia则是英特尔工程师开发的一项独特技术。Sanjay Natarajan博士作为这项技术的开发负责人，指出半导体晶体管结构中存在的最大传统问题之一便是“布线效率低下”。</p>\n<p>“传统互连技术是在晶体管层的顶部进行互联，经常产生电源线和信号线的互混，导致了布线效率低下，进而影响性能和功耗。”</p>\n<p>他们的解决方法，便是把电源线置于晶体管层的下面（也就是晶圆的背面）。通过减少晶圆正面的电源布线，腾出更多的“空地儿”用于优化信号布线，并减少时延，实现更好的电能传输。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/711724a13d34832717d6e33d027d163f\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"603\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>值得注意的是，这两项将用于Intel20A的关键技术，虽然不可避免被人诟病为“仍然处于PPT状态”（毕竟还都是PPT），但英特尔的专家们展示了这些测试芯片的扫描电镜图像，显然经过了一系列测试。</p>\n<p>就像上面所说，它们的成功应用，将决定着英特尔是否能在5nm这个关键节点上进行反超。</p>\n<p>从时间来看，很明显，2019年时PPT上规划的“2023年实现7nm++”，与这次规划的“2024年实现Intel20A”没有多少间隔。也就是说，依然有机会在5nm这个节点上翻盘。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/9858abda999ad2b18407fdde87b7e61c\" tg-width=\"1000\" tg-height=\"561\" referrerpolicy=\"no-referrer\" width=\"100%\" height=\"auto\"></p>\n<p>英特尔2019年10月的制程产品规划图</p>\n<p>如基辛格所说，英特尔Intel20A在2024年的问世与两大关键技术的真正应用，将标志着半导体“埃米时代”（1埃米=0.1纳米）的启幕。</p>\n<p>现在来听，其实更像是英特尔在向外界喊话：你们以为我还想在“纳米时代”争夺领导权？不，我们要进入一个比纳米更小的单位去争夺话语权了。</p>\n<p><b>写在最后…希望不是PPT</b></p>\n<p>但话说回来，既然完全改变了以纳米为单位的命名体系，而且晶体管结构和材料正在发生下一轮巨大变化。此外，英特尔也在从封装技术层面提高芯片的带宽密度和能效……</p>\n<p>这一切难道不是意味着，所谓的纳米还是埃米的数字单位，已经越来越没意义了吗？</p>\n<p><b>英特尔嘴上说在捍卫摩尔定律，其实已经认识到不能再依靠摩尔定律。</b></p>\n<p>如今，Intel20A的制造工艺虽然官方说拿下了高通这个大订单，但距离2024年变数还有很大。我们虽然觉得英特尔这场发布会的意义重大，并且产品规划让人没有异议，但是PPT能够转变称真正的产品，还是需要实物说话。</p>\n<p>毕竟，当年延迟了4年的14nm产品，当时PPT做的也挺不错的。</p>\n\n</article>\n</div>\n</body>\n</html>\n","type":0,"thumbnail":"https://static.tigerbbs.com/c74be4c2a08964ef2daf32217f693b44","relate_stocks":{"03145":"华夏亚洲高息股","EWT":"台湾ETF-iShares MSCI","INTC":"英特尔","TSM":"台积电","03086":"华夏纳指","09086":"华夏纳指-U"},"is_english":false,"share_image_url":"https://static.laohu8.com/e9f99090a1c2ed51c021029395664489","article_id":"1187897781","content_text":"自从去年英特尔被100%确凿证据证实了在10nm制程上的延期，以及在7nm制程上全面落后于台积电，丧失全球制程领导地位后，大众舆论对这家美国唯一从设计、制造到封测全覆盖的半导体企业的态度，呈现出惊人的一致变化：\n除了竞争对手和看热闹不嫌事大一样的顺便踩一脚，这种“批判趋势”到最后似乎演变成——这家半导体顶级巨头剩下的日子似乎屈指可数了。\n技术创新层面遭遇的危机也蔓延至他们的财务数据上，从2020年Q1到2021年Q3，英特尔净利润连续3个季度下滑；而历来作为数据中心市场的绝对王者，英特尔这一业务板块的收入也在三个季度内持续下降。\n2021年5月，权威市场调研机构 IC Insights发布的《2021年Q1全球Top15半导体公司业绩与排名》指出，英特尔虽然位列第一，但却是所有厂商中唯一一家营收下滑的企业。\n\n图片来自IC Insights\n英特尔当然焦虑。这种焦虑可能体现在：\n\n受到资本市场巨大压力，2021年年初突然换帅，重新启用有40年制造技术履历的帕特·基辛格(Pat Gelsinger)为新任CEO。\n\n\n迅速接受了阿斯麦比自己更为先进的EUV制造工艺，用了大约两个季度的时间修复了7nm技术。\n\n\n在制造环节投入巨资。今年3月，帕特·基辛格正式公布十分关键的“IDM 2.0”战略，宣布重返晶圆代工市场，同时宣布投资200亿美元在美国亚利桑那州新建两座晶圆厂；5月再次宣布，投资35亿美元升级新墨西哥州工厂，投资100亿美元在以色列兴建的芯片厂，还计划在欧盟建厂。\n\n\n越来越多的英特尔半导体技术专家现身说法，为自己的制造技术正名，强调“每家晶圆厂的制程数据有对外宣传的差异”。\n\n当然，根据虎嗅平台的观察和媒体反应，在国内大大小小的人工智能、物联网以及数据中心市场活动上，你能越来越多次看到英特尔出现的身影。\n\n英特尔 CEO 帕特·基辛格\n以重新夺回“制程节点”为目标的英特尔，今年3月发布的“IDM2.0战略”就以大手笔和”绝不放弃制造”的态度虽然引起产业重视，但因为表现不佳的财报状况持续受到争议；\n而昨天，包括CEO基辛格在内的4位英特尔高级制造技术专家，再次通过大范围公开英特尔的制程技术和实现路径，向半导体产业投掷了一枚“新炸弹”：\n\n英特尔的确在10nm和7nm有所延迟（如果感兴趣，可以看我的这篇文章《英特尔退位，台积电称王》），但在5nm节点上，英特尔自认为非但没有延迟，反而会完成超越。\n\n\n为了应对台积电等对手的“制程虚假宣传”，以及纠正大家对制程的认知误区，英特尔直接舍弃了“10nm，7nm，5nm，3nm”这一本质上由摩尔定律决定的说法，而是直接采用100%英特尔主观视角的新命名体系——Intel7，Intel4，Intel3，Intel20A，Intel18A。\n\n\n这一次公开的Intel20A，本质对应的就是5nm制程。这是一个英特尔近2年来闭口不谈的制程节点，相关时间计划基本到7nm就戛然截止了。英特尔首次宣布将通过Intel20A，进入“埃米时代”。\n\n\nIntel20A背后两大关键技术非常值得注意。其中，这个制程将会采用全新的晶体管结构Gate-All-Around，并非是为22nm以下制程产品化立下汗马功劳的FinFET结构。\n\n换言之，这种应用了新材料的新结构芯片，将会对传统制程概念，产生重大改变。就如一位半导体技术专家告诉虎嗅：“这种新的材料结构，制程这些几纳米啥的就没那么大的关系了。”\n英特尔新制程命名体系：快醒醒，客户们\n关于制程的命名问题，被产业诟病已久。\n譬如我们曾在《英特尔退位，台积电称王》这篇文章里提及，业内不少工程师认为，英特尔在对待“纳米”制程数字的态度更实在，甚至表示“英特尔的10nm芯片对标的其实是台积电的7nm，甚至比后者的7nm都好”。\n这也是基辛格上任后，多次在公开场合呼吁大家正确理解“制程数字”：\n\n “包括英特尔在内，使用着各不相同的制程节点命名和编号方案，这些方案既不指代任何具体的度量方法，也无法全面展现如何实现芯片能效和性能的最佳平衡。”\n\n这就像是车展上那些号称自己芯片达到几百几千Tops的汽车，也像是加州每年发布的《自动驾驶接管报告》——没有统一测试条件和足够的企业诚信度，就绝对不配说出“谁比谁性能好”的结论。\n所以，英特尔这次兴师动众地更换了命名体系，美名曰：“让客户对整个行业的制程节点演进有一个更准确认知，进而做出更明智的决策”，其实主要目的就是对付台积电和三星不那么太靠谱的5nm和3nm制程名字。\n\n2021年下半年将推出的Intel 7 （是不是至少看起来像是7nm？），其实就是英特尔之前发布的10nm Enhanced SuperFin；\n\n\n2023年上半年发布的Intel 4（至少看起来像4nm？），其实就是英特尔之前PPT的7nm；\n\n\n2023年下半年发布的Intel3，其实就是英特尔之前PPT上的7nm+；\n\n\n2024年上半年发布的Intel20A（看起来像不像2nm？），其实就是英特尔标准下的5nm；\n\n\n2025年上半年发布Intel18A，其实就是英特尔标准下的5nm+。\n\n\n图片来自英特尔\n实际上，随着晶体管结构的愈加复杂，早在21世纪初，产业内就开始对芯片的纳米制程命名有了“分化趋势”。\n我们都清楚，微处理器是由以特定方式连接起来的数十亿晶体管组成。这些晶体管充当了“开关”的角色，负责处理电子数据的1和0。\n基辛格解释，在晶体管顶部有一个区域叫“栅极”，它决定了晶体管是开启还是关闭。而“制程节点”指代的是晶体管所需的数千个制造步骤组成的复杂方案。\n而所有最顶级半导体公司几乎都有同一个目标——让这些芯片变得更小、更快、更便宜、更高能效——最好的例子莫过于苹果的5nm制程芯片M1（有太多关于M1的测评可以去看，我也买了一台M1的Macbook Air，爱不释手）。\n\n最初，制程工艺“节点”的名称与晶体管的栅极长度相对应，并以“微米”为度量单位。随着晶体管越变越小，栅极的长度越来越微缩，产业开始以纳米为度量单位。\n而关于制程命名改变的关键节点出现在1997年。\n“随着技术进步和应变硅（strained silicon）等其他创新技术的出现，除了缩小晶体管，更快、更便宜和更高能效也变得同样重要。” 基辛格认为，从这时开始，传统命名方法不再与实际的晶体管栅极长度相匹配。\n换言之，晶体管尺寸在某种程度上不是唯一的决定因素，它们之间的“互连”等因素也不能忽略。\n2011年，在英特尔推出FinFET晶体管结构技术后，行业进一步分化。这是一种构建晶体管的全新方式，具有独特的形状和结构。\n这个结构就是将停滞不前的22nm继续往下缩进的关键技术。但要很显然，从22nm开始，不要说大众，就连产业内对制程数字的理解与它的实际“坐标”也开始逐渐脱离。\n这也是英特尔如今建立新命名体系的根本缘由。\n\n 正如虎嗅之前在采访工程师时得到的答案：“英特尔在制造工艺标准制定上相对更激进，要求也更高。但的确制程延迟了1~2年，说落后并不意味着他们没有追赶的可能性。”\n\n但英特尔这次大刀阔斧的制程更名，也许不是不相信自己，而是嗅到了市场和资本已经被“命名”困惑已久（譬如开头），甚至依此来做出商务判断的残酷现实。\n不过我们想到了一个问题——即便推出了新命名产品，客户没有理由不问一句：“你这intel7到底几纳米？对标的是台积电的几纳米？”\n说实话，我们更想知道英特尔在遇到这个问题时怎么回答。\n誓死捍卫摩尔定律？\n基辛格在这次可谓是极为详尽的“制程技术科普会”上，至少提了三次关于“摩尔定律不会消亡，英特尔会通过各种方法，如改材料、晶体管结构，以及封装等角度，继续来延续摩尔定律”的决心。\n实话讲，除了这个意味深长的新命名体系，英特尔最有趣且最应该受到关注的产品，毫无疑问是Intel3之后的Intel20A。\n（当然，Intel4 将作为第一批应用阿斯麦高数值孔径（High-NA）极紫外辐射光刻技术(EUV)的处理器也倍受瞩目，但象征意义不如Intel20A。）\nIntel 20A（5nm）之所以被英特尔称为历史上制程技术发展的下一个分水岭，是因为它是第一块应用英特尔两大“开创性技术”的芯片：\n\n替代FinFET的全新晶体管架构 Gate-All-Around（英特尔把它命名为RibbonFET）\n能够解决“互联瓶颈”的电能传输系统PowerVia。\n\nFinFET技术的重要性已经无须赘述。\n它是加州伯克利大学电子工程与计算机专业教授胡正明在1999年研发出的 3D 晶体管技术（鳍型晶体管）。英特尔之所以能在 12 年后率先量产出 22nm 晶体管，台积电与三星顺利过渡至 16/14nm 制程节点，FinFET功不可没。\n正是这项“发明”，摩尔定律才得以“延寿”数十年。\n但是，随着制程从5nm持续缩进至3nm，半导体制造专家们发现，进一步减少 FinFET 尺寸，就越来越受到驱动电流和静电控制的限制。\n而将要替代它的Gate All Around的常用名为GAAFET（全栅场效应管），它使用栅极包围的带状通道，从而能实现更快的晶体管切换速度和更好的控制。因此，在更小的占用空间内，可具备更高的性能。三星在2020年曾宣布将在3nm制程芯片上应用这一架构。\n\n图片来自泛林半导体\n与 FinFET不同的是，在 FinFET 中，较高电流需要多个并排的鳍片；GAA 晶体管的载流能力主要是通过垂直堆叠几个纳米片（上图），而栅极材料主要是包裹在沟道周围来提高的。纳米片的尺寸可以按比例缩放，以便晶体管可以按照要求的特定性能进行调整。\n听起来，“纳米片”的概念其实理解起来并不是那么困难；而且实际上，这项技术已经被研发多年。但其之所以不受业内“重用”，主要瓶颈就在于“材料”。\n根据泛林半导体给出的解释，GAA晶体管是通过“交替硅”和“硅锗外延层”的超晶格来制作的，这是构成纳米片的基础，此外制作工艺相对复杂，可能需要钌、钼、镍等各种合金新材料进行沉积、蚀刻、填充。\n\n 一位半导体专家这样给虎嗅总结：“它（GAA）将对半导体的基底材料进行更改，半导体连接的材料也要进行更改。同时整个晶体管的物理结构也要变化。”\n\n因此，带领团队开发这项技术的Sanjay Natarajan博士将英特尔的GAA——RibbonFET称为一次“晶体管性能上的重大飞跃”，并非虚话。\n根据测试芯片结果，他们预计RibbonFET晶体管带来的性能和密度提升，将超过当下的FinFET晶体管。而Intel 20A将是应用RibbonFET的第一枚芯片。\n\n而电能传输系统PowerVia则是英特尔工程师开发的一项独特技术。Sanjay Natarajan博士作为这项技术的开发负责人，指出半导体晶体管结构中存在的最大传统问题之一便是“布线效率低下”。\n“传统互连技术是在晶体管层的顶部进行互联，经常产生电源线和信号线的互混，导致了布线效率低下，进而影响性能和功耗。”\n他们的解决方法，便是把电源线置于晶体管层的下面（也就是晶圆的背面）。通过减少晶圆正面的电源布线，腾出更多的“空地儿”用于优化信号布线，并减少时延，实现更好的电能传输。\n\n值得注意的是，这两项将用于Intel20A的关键技术，虽然不可避免被人诟病为“仍然处于PPT状态”（毕竟还都是PPT），但英特尔的专家们展示了这些测试芯片的扫描电镜图像，显然经过了一系列测试。\n就像上面所说，它们的成功应用，将决定着英特尔是否能在5nm这个关键节点上进行反超。\n从时间来看，很明显，2019年时PPT上规划的“2023年实现7nm++”，与这次规划的“2024年实现Intel20A”没有多少间隔。也就是说，依然有机会在5nm这个节点上翻盘。\n\n英特尔2019年10月的制程产品规划图\n如基辛格所说，英特尔Intel20A在2024年的问世与两大关键技术的真正应用，将标志着半导体“埃米时代”（1埃米=0.1纳米）的启幕。\n现在来听，其实更像是英特尔在向外界喊话：你们以为我还想在“纳米时代”争夺领导权？不，我们要进入一个比纳米更小的单位去争夺话语权了。\n写在最后…希望不是PPT\n但话说回来，既然完全改变了以纳米为单位的命名体系，而且晶体管结构和材料正在发生下一轮巨大变化。此外，英特尔也在从封装技术层面提高芯片的带宽密度和能效……\n这一切难道不是意味着，所谓的纳米还是埃米的数字单位，已经越来越没意义了吗？\n英特尔嘴上说在捍卫摩尔定律，其实已经认识到不能再依靠摩尔定律。\n如今，Intel20A的制造工艺虽然官方说拿下了高通这个大订单，但距离2024年变数还有很大。我们虽然觉得英特尔这场发布会的意义重大，并且产品规划让人没有异议，但是PPT能够转变称真正的产品，还是需要实物说话。\n毕竟，当年延迟了4年的14nm产品，当时PPT做的也挺不错的。","news_type":1},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":336,"authorTweetTopStatus":1,"verified":2,"comments":[],"imageCount":0,"langContent":"EN","totalScore":0},{"id":808087297,"gmtCreate":1627544729719,"gmtModify":1703492037799,"author":{"id":"3586587763605977","authorId":"3586587763605977","authorIdStr":"3586587763605977","name":"程導绅","avatar":"https://static.tigerbbs.com/17e557db7a706e6821394c3f5dc700d2","crmLevel":1,"crmLevelSwitch":0,"followedFlag":false,"idStr":"3586587763605977"},"themes":[],"htmlText":"Hi","listText":"Hi","text":"Hi","images":[],"top":1,"highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"link":"https://ttm.financial/post/808087297","repostId":"2155908504","repostType":4,"repost":{"id":"2155908504","pubTimestamp":1627544101,"share":"https://ttm.financial/m/news/2155908504?lang=&edition=fundamental","pubTime":"2021-07-29 15:35","market":"us","language":"zh","title":"Taper渐近，难有恐慌","url":"https://stock-news.laohu8.com/highlight/detail?id=2155908504","media":"覃汉投资笔记","summary":"美联储7月FOMC会议要点总结：①经济已经朝削减QE取得一些进展并将在未来的会议上继续评估，与“进一步重大进展”（“substantial further progress”）的门槛仍有距离但也更近了","content":"<p>美联储7月FOMC会议要点总结：①经济已经朝削减QE取得一些进展并将在未来的会议上继续评估，与“进一步重大进展”（“substantial further progress”）的门槛仍有距离但也更近了；②淡化了市场对Delta变异病毒拖累经济前景的担忧；③重申通胀是暂时的，无需感到恐慌；④未来削减QE大概率会是国债和MBS一起减；⑤再次强调谈论加息过早；⑥设立常备回购便利工具（SRF），分为面向美国国内一级交易商和海外央行。</p>\n<p>本次会议最重要的信号，无疑就是美联储开始为削减QE购买（Taper）进行预热。政策沟通是门艺术，过于突兀与生硬，市场预期往往就会超调，引发资产价格剧烈波动，类似2013年5月的“削减恐慌”。所以，在本轮政策周期中，美联储政策退出和沟通的模式都是力求渐进、平滑和透明。</p>\n<p>本次会议声明措辞中，最重要的变化就是“经济目标已经取得一些进展并将在未来的会议上继续评估”。市场担忧的Delta变异病毒，并没有动摇美联储对经济前景整体乐观的预期，鲍威尔认为疫情对经济的冲击“可能一波比一波弱”。</p>\n<p>考虑到Taper的门槛是经济取得“进一步重大进展”，我们建议关注就业缺口的填补程度。本轮疫情造成的就业缺口截止6月仍差676万人未填补，恢复率为70%，而2013年12月美联储宣布Taper时，金融危机造成的就业缺口恢复率为88%，若下半年平均每月新增就业约69万人，年底12月实现类似的缺口恢复率难度不大。</p>\n<p>市场关心的始终是Taper的节奏，目前来看预期也逐渐走向一致。本次会议美联储按兵不动并不意外，市场普遍预期是8月Jackson Hole的央行年会或者9月FOMC会议将会是美联储开始暗示考虑Taper的时点，并且可能在2021年底或2022年初正式宣布Taper。我们则维持此前的判断，即12月FOMC会议宣布并在2022年开始执行。</p>\n<p>根据鲍威尔所言，7月FOMC会议是美联储官员首次针对未来Taper可能的时点和涉及品种进行深度内部讨论，虽然内部尚未对何时开始Taper形成共识，但倾向于一旦Taper就同时削减美国国债和MBS。</p>\n<p>回顾上一轮Taper，2014年美联储在每次会议上将每月购买额度（美国国债+MBS）减少100亿美元，并在10月会议上正式停止QE，历时10个月完成。对比当下，美联储每月购买额度（美国国债+MBS）为1200亿美元，若按照每月减少额度150亿美元，则大致需要8个月实现停止QE，如果12月宣布Taper，那么大致2022Q3结束。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/6292deabf5669e43200af797b2a273c6\" tg-width=\"550\" tg-height=\"417\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>通胀方面，本次会议再次确认了美联储基本放弃对通胀何时见顶的预测，但它的底线是守住长期通胀预期不能失控，这也是为何通胀数据连续超预期，美联储却依然坚信“通胀是暂时性”的原因。鲍威尔也强调“如果短期的物价水平上涨不会影响长期的通胀预期，那么它就很可能不会影响未来的通胀路径”。</p>\n<p>美联储最关注的通胀预期指标——共同通胀预期指数（CIE），该指数综合了专业预测者、家庭调查和市场隐含的通胀预期指标，而专业预测者和企业对通胀的预测往往比家庭调查或市场定价更准确。CIE从2020Q3的1.94%上行到2021Q2的2.05%，目前并没有跟随通胀数据而飙升。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/44dbded41058141db61cdcc3c83bff66\" tg-width=\"550\" tg-height=\"415\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>过去一个月美债利率之所以下行，主要来自于变异病毒肆虐叠加财政刺激僵局所引发的经济担忧，而之所以一度跌破1.2%，主要来自交易层面的技术因素（空头回补、养老金股债再平衡、海外需求较强等）。</p>\n<p>在10年美债利率跌破1.20%之际，我们需要思考的是当前美债利率对美国经济前景的定价是否过于悲观，尤其是考虑到此前1月底-2月初1.20%的水平对应的背景是美国财政刺激和疫苗大规模接种都还没有落地。</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/d6a7a8ca1c0e4573b2e48caa2fd25614\" tg-width=\"550\" tg-height=\"428\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>\n<p>考虑到当前美债利率对经济前景的定价过于悲观、技术性因素的驱动力量难以持续、以及美债熊市反弹空间约50bp的规律，下半年10年美债利率下行空间有限。</p>\n<p>回顾2013-2014年，2013Q3就业复苏放缓导致美联储在9-10月议息会议上按兵不动，10年美债利率从10.23低点2.51%累计上行38bp至12月议息会议前的2.89%。美联储在12.18正式官宣并在2014年初执行，10年美债利率再次上行15bp至年内高点3.04%见顶，随后在2014年重回下降通道（全球经济担忧）。</p>\n<p>参考历史经验，我们认为，随着美联储在三季度开始释放Taper信号，10年美债利率可能会再次上行，并在Taper官宣落地后逐步见顶，但很难突破前期高点1.70-1.80%。</p>\n<p>所以，接下来即使美债利率重回上行通道，但是斜率很难太陡，大概率处于宽幅区间震荡格局，再加上市场对联储退出宽松预期非常充分，所以不会再出现年初2-3月份那种因为美债利率上行对权益市场造成严重冲击的情况。（完）</p>\n<p><img src=\"https://static.tigerbbs.com/4eedbbd7ea3f91182f1395c52927f0f6\" tg-width=\"550\" tg-height=\"417\" referrerpolicy=\"no-referrer\"></p>","source":"lsy1620296573452","collect":0,"html":"<!DOCTYPE html>\n<html>\n<head>\n<meta http-equiv=\"Content-Type\" content=\"text/html; charset=utf-8\" />\n<meta name=\"viewport\" content=\"width=device-width,initial-scale=1.0,minimum-scale=1.0,maximum-scale=1.0,user-scalable=no\"/>\n<meta name=\"format-detection\" content=\"telephone=no,email=no,address=no\" />\n<title>Taper渐近，难有恐慌</title>\n<style type=\"text/css\">\na,abbr,acronym,address,applet,article,aside,audio,b,big,blockquote,body,canvas,caption,center,cite,code,dd,del,details,dfn,div,dl,dt,\nem,embed,fieldset,figcaption,figure,footer,form,h1,h2,h3,h4,h5,h6,header,hgroup,html,i,iframe,img,ins,kbd,label,legend,li,mark,menu,nav,\nobject,ol,output,p,pre,q,ruby,s,samp,section,small,span,strike,strong,sub,summary,sup,table,tbody,td,tfoot,th,thead,time,tr,tt,u,ul,var,video{ font:inherit;margin:0;padding:0;vertical-align:baseline;border:0 }\nbody{ font-size:16px; line-height:1.5; color:#999; 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class=\"meta\">\n\n\n2021-07-29 15:35 北京时间 <a href=https://cj.sina.cn/article/normal_detail?url=https://finance.sina.com.cn/money/bond/market/2021-07-29/doc-ikqciyzk8314250.shtml><strong>覃汉投资笔记</strong></a>\n\n\n</h4>\n\n</header>\n<article>\n<div>\n<p>美联储7月FOMC会议要点总结：①经济已经朝削减QE取得一些进展并将在未来的会议上继续评估，与“进一步重大进展”（“substantial further progress”）的门槛仍有距离但也更近了；②淡化了市场对Delta变异病毒拖累经济前景的担忧；③重申通胀是暂时的，无需感到恐慌；④未来削减QE大概率会是国债和MBS一起减；⑤再次强调谈论加息过早；⑥设立常备回购便利工具（SRF），分为面向...</p>\n\n<a href=\"https://cj.sina.cn/article/normal_detail?url=https://finance.sina.com.cn/money/bond/market/2021-07-29/doc-ikqciyzk8314250.shtml\">Web 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progress”）的门槛仍有距离但也更近了；②淡化了市场对Delta变异病毒拖累经济前景的担忧；③重申通胀是暂时的，无需感到恐慌；④未来削减QE大概率会是国债和MBS一起减；⑤再次强调谈论加息过早；⑥设立常备回购便利工具（SRF），分为面向美国国内一级交易商和海外央行。\n本次会议最重要的信号，无疑就是美联储开始为削减QE购买（Taper）进行预热。政策沟通是门艺术，过于突兀与生硬，市场预期往往就会超调，引发资产价格剧烈波动，类似2013年5月的“削减恐慌”。所以，在本轮政策周期中，美联储政策退出和沟通的模式都是力求渐进、平滑和透明。\n本次会议声明措辞中，最重要的变化就是“经济目标已经取得一些进展并将在未来的会议上继续评估”。市场担忧的Delta变异病毒，并没有动摇美联储对经济前景整体乐观的预期，鲍威尔认为疫情对经济的冲击“可能一波比一波弱”。\n考虑到Taper的门槛是经济取得“进一步重大进展”，我们建议关注就业缺口的填补程度。本轮疫情造成的就业缺口截止6月仍差676万人未填补，恢复率为70%，而2013年12月美联储宣布Taper时，金融危机造成的就业缺口恢复率为88%，若下半年平均每月新增就业约69万人，年底12月实现类似的缺口恢复率难度不大。\n市场关心的始终是Taper的节奏，目前来看预期也逐渐走向一致。本次会议美联储按兵不动并不意外，市场普遍预期是8月Jackson Hole的央行年会或者9月FOMC会议将会是美联储开始暗示考虑Taper的时点，并且可能在2021年底或2022年初正式宣布Taper。我们则维持此前的判断，即12月FOMC会议宣布并在2022年开始执行。\n根据鲍威尔所言，7月FOMC会议是美联储官员首次针对未来Taper可能的时点和涉及品种进行深度内部讨论，虽然内部尚未对何时开始Taper形成共识，但倾向于一旦Taper就同时削减美国国债和MBS。\n回顾上一轮Taper，2014年美联储在每次会议上将每月购买额度（美国国债+MBS）减少100亿美元，并在10月会议上正式停止QE，历时10个月完成。对比当下，美联储每月购买额度（美国国债+MBS）为1200亿美元，若按照每月减少额度150亿美元，则大致需要8个月实现停止QE，如果12月宣布Taper，那么大致2022Q3结束。\n\n通胀方面，本次会议再次确认了美联储基本放弃对通胀何时见顶的预测，但它的底线是守住长期通胀预期不能失控，这也是为何通胀数据连续超预期，美联储却依然坚信“通胀是暂时性”的原因。鲍威尔也强调“如果短期的物价水平上涨不会影响长期的通胀预期，那么它就很可能不会影响未来的通胀路径”。\n美联储最关注的通胀预期指标——共同通胀预期指数（CIE），该指数综合了专业预测者、家庭调查和市场隐含的通胀预期指标，而专业预测者和企业对通胀的预测往往比家庭调查或市场定价更准确。CIE从2020Q3的1.94%上行到2021Q2的2.05%，目前并没有跟随通胀数据而飙升。\n\n过去一个月美债利率之所以下行，主要来自于变异病毒肆虐叠加财政刺激僵局所引发的经济担忧，而之所以一度跌破1.2%，主要来自交易层面的技术因素（空头回补、养老金股债再平衡、海外需求较强等）。\n在10年美债利率跌破1.20%之际，我们需要思考的是当前美债利率对美国经济前景的定价是否过于悲观，尤其是考虑到此前1月底-2月初1.20%的水平对应的背景是美国财政刺激和疫苗大规模接种都还没有落地。\n\n考虑到当前美债利率对经济前景的定价过于悲观、技术性因素的驱动力量难以持续、以及美债熊市反弹空间约50bp的规律，下半年10年美债利率下行空间有限。\n回顾2013-2014年，2013Q3就业复苏放缓导致美联储在9-10月议息会议上按兵不动，10年美债利率从10.23低点2.51%累计上行38bp至12月议息会议前的2.89%。美联储在12.18正式官宣并在2014年初执行，10年美债利率再次上行15bp至年内高点3.04%见顶，随后在2014年重回下降通道（全球经济担忧）。\n参考历史经验，我们认为，随着美联储在三季度开始释放Taper信号，10年美债利率可能会再次上行，并在Taper官宣落地后逐步见顶，但很难突破前期高点1.70-1.80%。\n所以，接下来即使美债利率重回上行通道，但是斜率很难太陡，大概率处于宽幅区间震荡格局，再加上市场对联储退出宽松预期非常充分，所以不会再出现年初2-3月份那种因为美债利率上行对权益市场造成严重冲击的情况。（完）","news_type":1},"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":219,"authorTweetTopStatus":1,"verified":2,"comments":[],"imageCount":0,"langContent":"EN","totalScore":0},{"id":127346059,"gmtCreate":1624837541771,"gmtModify":1703845682609,"author":{"id":"3586587763605977","authorId":"3586587763605977","authorIdStr":"3586587763605977","name":"程導绅","avatar":"https://static.tigerbbs.com/17e557db7a706e6821394c3f5dc700d2","crmLevel":1,"crmLevelSwitch":0,"followedFlag":false,"idStr":"3586587763605977"},"themes":[],"htmlText":"??","listText":"??","text":"??","images":[],"top":1,"highlighted":1,"essential":1,"paper":1,"likeSize":0,"commentSize":0,"repostSize":0,"link":"https://ttm.financial/post/127346059","repostId":"2146121007","repostType":4,"isVote":1,"tweetType":1,"viewCount":363,"authorTweetTopStatus":1,"verified":2,"comments":[],"imageCount":0,"langContent":"EN","totalScore":0}],"lives":[]}
