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圖片 有望破解氧化鎵材料的“卡脖子”難題。 本文爲IPO早知道原創 作者｜Stone Jin 有望破解氧化鎵材料的“卡脖子”難題。 據IPO早知道消息，鎵仁半導體日前完成數千萬天使輪融資。本輪由藍馳創投領投，禹泉資本跟投。本輪融資將用於強化團隊、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發。 成立於2022年9月的鎵仁半導體是一家專注於氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發、生產和銷售的科技型企業，其開創了非導模法氧化鎵單晶生長新技術，突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識產權的氧化鎵單晶襯底材料。 鎵仁半導體創始團隊源自浙江大學硅材料國家重點實驗室和浙江大學杭州國際科創中心。目前，鎵仁半導體已形成一支以中科院院士爲首席顧問的研發和生產團隊，將持續爲我國電力電子等產業的發展提供材料保障。 隨着2018年特斯拉採用碳化硅（SiC）、2020年小米在快充上使用氮化鎵開始，寬禁帶材料碳化硅、氮化鎵獲得市場認可迎來發展機遇，並逐漸從新能源車、消費電子等熱門場景向更多拓展場景探索。在寬禁帶半導體發展得如火如荼之際，氧化鎵、氮化鋁、金剛石等超寬禁帶半導體材料也開始受到關注。其中，氧化鎵( Ga2O3 )是被國際普遍關注並認可已開啓產業化的超寬禁帶半導體材料。據日本富士經濟預測，未來10年氧化鎵及器件的年複合增長率將超過50%，在高功率、高電流、高壓器件領域擁有巨大優勢，同時在中壓功率器件及射頻器件方面將對目前SiC，GaN和Si IGBT產生有力競爭，其在節能、性能改善、體積縮小等方面擁有核心優勢。 高質量、低成本的氧化鎵單晶襯底是整個產業鏈的關鍵，目前全球只有一家公司可穩定供貨。其採用的是導模法生產和製備氧化鎵襯底。然而由於導模法需要大量的銥金屬，氧化鎵晶圓價格高居不下；同時導模法存在大的溫度梯度，使得氧化鎵的質量難以進一步提升，嚴重阻礙了其器件的迭代研發。鎵仁半導體開創了新的氧化鎵單晶生長技術，在成本控制、尺寸放大、質量提升以及智能製造等方面具有極其明顯優勢，有望推動氧化鎵材料和器件產業的發展。 鎵仁半導體創始人張輝表示，由於對電力高效使用的迫切需求，我國功率器件及材料產業將迎來更加快速的發展。鎵仁半導體團隊經過多年的攻關，已掌握從設備開發、熱場設計、晶體生長、晶體加工、外延生長等全套的關鍵技術，有望破解氧化鎵材料的“卡脖子”難題。 藍馳創投表示：“國內新能源汽車、新型電力系統等領域的快速發展，對功率半導體材料和器件提出了越來越高的要求。而氧化鎵作爲超寬禁帶半導體材料，其器件在高壓高功率場景具備良好表現和產業化前景。同時，氧化鎵的理論成本較低，有望成爲未來高性價比功率半導體材料的首選。鎵仁半導體團隊具備多年半導體材料生長經驗，已成爲國內氧化鎵領域的重要力量之一。藍馳創投相信，在楊德仁院士和張輝教授的領導下，鎵仁科技有望成爲國內氧化鎵領域的領軍企業，進一步加強在寬禁帶半導體材料和器件領域的競爭優勢。” 禹泉資本管理合夥人戈壁川表示：“我們看到隨着半導體材料以及應用的蓬勃發展，在中高壓領域（800V以上），軌道交通、新能源汽車、電力傳輸等領域中，更高品質的、更低成本、更低電能損耗的器件是市場的剛性需求，而氧化鎵可通過熔體法生長，未來生產成本遠低於氣相生長的碳化硅及氮化鎵，氧化鎵莫氏硬度同硅接近，遠低於碳化硅，非常容易加工，同時器件性能在高壓、高電流能有更優異的表現，未來在這些領域同碳化硅、氮化鎵形成一定的競爭和替代。我們非常看好鎵仁半導體的創始團隊，並相信在楊德仁院士及張輝教授的帶領下，能夠進一步推動氧化鎵單晶襯底的產業化，推動氧化鎵在半導體領域更大規模的應用。