賽晶IGBT芯片及模塊新品發佈
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2023年1月18日，賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司（以下簡稱：賽晶）舉行線上新產品發佈會，正式推出最新研發成果：i20系列1700V IGBT芯片組、ST封裝IGBT模塊。 再添“扛鼎之作”- i20系列1700V IGBT芯片組 1700V是IGBT的主流電壓等級之一，廣泛應用於風力發電、無功補償（SVG）、智能電網，以及中高壓變頻器等領域。 賽晶i20系列1700V IGBT芯片組，基於經典的溝槽柵及場截止芯片結構，並採用了窄檯面、優化N-型增強層、短溝道、3D結構、優化P+層等多項行業前沿理念的優化設計，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了國內同類芯片技術的最高水平。 創新設計、國產精品– ST封裝IGBT模塊 已經發布的首款IGBT模塊（ED封裝IGBT模塊），目前已經向電動汽車、新能源發電、工控等領域的多家行業領先客戶批量供貨，並以卓越的性能和表現廣受好評。 本次發佈會上，賽晶發佈了第二款工業級模塊產品- ST封裝IGBT模塊。該模塊，採用行業標準外形設計（62mm），具有極佳的通用性，是工業級IGBT模塊中的主流型號之一。特別是在光伏發電、低壓變頻器、UPS電源、電機驅動、數控機牀等領域，ST封裝IGBT模塊具有廣泛的市場需求。 ST封裝IGBT模塊，採用優化佈局、三維信號傳輸等創新設計（已申請專利）實現了出色的模塊性能：同類產品中最低的內部熱阻、連接阻抗、內部雜散電感等。ST封裝IGBT模塊，是賽晶打造精品國產IGBT模塊戰略的最新成果。 已然啓程，未來可期- 車規級SiC模塊 本次發佈會還介紹了正研發中的兩款車規級SiC模塊：HEEV封裝和EVD封裝SiC MOSFET模塊。HEEV封裝的創新設計，能最大限度的發揮SiC模塊的出色性能。EVD封裝將推出SiC MOSFET和Si IGBT兩個版本，可以滿足汽車市場不同需求。 賽晶半導體，
