To The Moon

小虎們，在 $三星電子(SSNLF)$ 交出炸裂業績，週五 $SK海力士(SKHY)$ 即將上市的檔口！[Cool]

由於此前DRAM價格的失控，目前全球公司正在紛紛推出新型記憶體ETF！[666]

例如KMEM強烈傾向SK，海力士，DISK押注Flash等！[Thinking]

那麼在這個全球存儲芯片暴跌之際，全球基金公司卻紛紛推出相應的記憶體ETF，你看好哪些相關ETF呢？[YoYo]

美股盤前漲跌不一

一、DRAM ETF為何能引爆市場？

$Roundhill Memory ETF(DRAM)$ 的成功並非偶然。在它誕生之前，美國投資者很難直接參與記憶體領域， $SK海力士(SKHY)$ 和三星這兩大巨頭並未在美國上市（SK海力士本週五才登陸納斯達克），投資者只能通過 $韓國ETF-iShares MSCI(EWY)$ 等韓國基金間接持有，而這些基金還包含了大量不相關的股票。DRAM ETF提供了一個純粹的記憶體投資工具，恰好踩中了AI存儲超級週期的風口。

其持倉高度集中於HBM三大巨頭， $SK海力士(SKHY)$ 、三星和 $美光科技(MU)$ 合計佔據基金約四分之三的倉位。這種「純度」正是它吸引海量資金的關鍵。

圖源：INS

二、新玩家們的「差異化突圍」

面對DRAM ETF的統治地位，後來的基金公司選擇了截然不同的策略，而非簡單的價格戰（費率均在0.65%-0.95%之間）：

KMEM（Kurv Memory Select ETF）極致押注SK海力士

$Kurv Memory Select ETF(KMEM)$ 的策略最為激進， $SK海力士(SKHY)$ 的持倉佔比高達42%， $美光科技(MU)$ 約20%，三星約19%。其邏輯很直接：SK海力士佔據HBM市場最大份額，且交易價格低於同業。如果看好SK海力士在AI內存領域的領先地位，KMEM是彈性最高的表達方式。但風險同樣明顯一旦SK海力士出現任何風吹草動，這隻ETF的跌幅也將被放大。

DISK（Tema Memory ETF）反向押注NAND Flash

$Tema Memory ETF(DISK)$ 的策略最具差異化，刻意避開HBM，將約17%的倉位配置於鎧俠（Kioxia）和 $閃迪(SNDK)$ 等NAND Flash廠商。Tema首席投資官的邏輯是：隨著AI智能體不斷擴大上下文窗口，將所有數據都存儲在昂貴的DRAM和HBM中成本將極其高昂，數據中心會越來越多地將部分上下文信息轉移到成本更低的NAND Flash上。同時，廠商將產能優先分配給利潤更高的HBM，導致NAND供應緊張、價格上漲。

這是一個「提前佈局下一個風口」的邏輯。但風險在於：NAND價格歷來波動更大，而「上下文卸載」理論目前仍只是預測而非事實。

List of Top NAND Flash Memory Manufacturers | Unibetter

HBMX（Tuttle Capital Concentrated Memory Stack ETF）記憶體+半導體設備

$Tuttle Capital Concentrated Memory Stack ETF(HBMX)$ 的定位最為特殊它不僅包含芯片製造商，還涵蓋為記憶體製造提供設備、材料和服務的公司。其持倉中，美光約9%，應用材料近8%，阿斯麥和泛林集團各約6%。這使得HBMX與其說是純記憶體投資，不如說是「記憶體+半導體資本」的混合體。對於看好整個半導體設備週期的投資者，這可能是一個折中選擇；但對於追求純記憶體曝險的投資者，它的「純度」不如DRAM。

基金公司們的真正意圖：搶佔記憶體賽道的細分定價權

這些新ETF的密集推出，本質上是資產管理公司對記憶體賽道的集體押注，它們都相信存儲芯片的長期故事遠未結束，只是在「如何參與」上選擇了不同路徑。KMEM賭頭部集中的確定性，DISK賭NAND的輪動機會，HBMX賭產業鏈擴散效應。這種「差異化突圍」的策略，反映了基金公司對記憶體市場結構性機會的長期看好。

三、存儲芯片行情後市怎麼走？

短期：漲幅收斂，但趨勢未改

多家機構最新數據顯示，2026年下半年存儲芯片價格上行空間進一步擴大。DDR合約價格預期被上調：第三季度環比上漲32%（此前預期17%），第四季度上漲18%（此前12%），在第二季度已大幅上漲67%的基礎上繼續走強。NAND同樣上修，預計第三季度環比上漲30%，第四季度上漲12%。

瑞銀分析師尼古拉斯·戈杜瓦上調了DDR合約價格預測，第三季度環比漲幅從+17%上調至+32%，第四季度從+12%上調至+18%。美光高管此前也明確表示，全球存儲供應短缺將持續「超越2027年」。

不過，TrendForce數據顯示，第三季度整體 $Roundhill Memory ETF(DRAM)$ 格局雖持續極度緊缺，但因消費級應用需求下修及高基期作用，合約價漲幅有所收斂，預計季增13%至18%。NAND Flash主要需求仍由AI推理與大型數據中心建設支撐，但消費端客戶對價格承受力已達極限。

中期：機構集體看好，回調即買入機會

儘管近期存儲芯片股價出現回調，華爾街主流機構依舊看好「存儲超級週期」的長期軌跡：

• 美銀：芯片股「夏季回調、秋季反彈」，存儲「估值偏低，應該擴張」。到2027年，全球雲計算和AI基礎設施資本支出將達1.5萬億美元，為整個行業提供堅實託底。

• 高盛：記憶體交易仍有上行空間，得益於強勁的盈利和芯片製造商異常持久的盈利週期。智能體AI的轉變正在持續支撐計算和記憶體需求。

• 野村：反駁「半導體見頂論」，認為AI基建狂潮支撐的「存儲超級週期」長期牛市軌跡未變。

• 招商證券：海外原廠通過長期協議鎖定了大量未來產能，且對資本開支保持高度紀律性，預計2026年下半年存儲合約價仍將延續上漲態勢，價格維持高位是大概率事件。

長期：供需缺口結構性，非週期性

三星表示客戶已開始預定2027年產能，並認為2027年供需缺口將進一步擴大。 $美光科技(MU)$ 高管也強調，供應受限將持續「超越2027年」。

四、給個人投資者的建議

1. 理解不同ETF的定位差異

• $Roundhill Memory ETF(DRAM)$ ：純HBM/DRAM曝險，適合看好AI內存主線的投資者

• $Kurv Memory Select ETF(KMEM)$ ：極致押注SK海力士，彈性最大、風險也最大

• $Tema Memory ETF(DISK)$ ：押注NAND Flash輪動，適合看好「上下文卸載」邏輯的投資者

• $Tuttle Capital Concentrated Memory Stack ETF(HBMX)$ ：記憶體+設備混合，適合看好整個半導體資本開支週期的投資者

2. 短期回調或是佈局窗口

美銀明確提出「夏季回調、秋季反彈」的節奏判斷。當前存儲板塊的下跌，更多是極度擁擠交易的情緒出清，而非AI需求的崩塌。

3. 關注SK海力士ADR上市的風向標意義

SK海力士將於7月10日登陸納斯達克（代碼 $SK海力士(SKHY)$ ），募資約280億美元。若上市後表現強勁，可能帶動整個存儲板塊情緒修復。

4. 控制倉位，分批介入

存儲板塊短期波動難以避免，建議將相關配置控制在可承受範圍內，採用分批買入策略，而非一次性重倉。

小虎們，你認為NAND Flash會成為下一個HBM嗎？SK海力士ADR上市會成為存儲板塊反彈的號角嗎？

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