鎵仁半導體獲藍馳創投領投數千萬元天使輪融資,專注氧化鎵領域
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圖片有望破解氧化鎵材料的“卡脖子”難題。本文爲IPO早知道原創作者|Stone Jin有望破解氧化鎵材料的“卡脖子”難題。 據IPO早知道消息,鎵仁半導體日前完成數千萬天使輪融資。本輪由藍馳創投領投,禹泉資本跟投。本輪融資將用於強化團隊、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發。 成立於2022年9月的鎵仁半導體是一家專注於氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發、生產和銷售的科技型企業,其開創了非導模法氧化鎵單晶生長新技術,突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷,可提供具有完全自主知識產權的氧化鎵單晶襯底材料。 鎵仁半導體創始團隊源自浙江大學硅材料國家重點實驗室和浙江大學杭州國際科創中心。目前,鎵仁半導體已形成一支以中科院院士爲首席顧問的研發和生產團隊,將持續爲我國電力電子等產業的發展提供材料保障。 隨着2018年特斯拉採用碳化硅(SiC)、2020年小米在快充上使用氮化鎵開始,寬禁帶材料碳化硅、氮化鎵獲得市場認可迎來發展機遇,並逐漸從新能源車、消費電子等熱門場景向更多拓展場景探索。在寬禁帶半導體發展得如火如荼之際,氧化鎵、氮化鋁、金剛石等超寬禁帶半導體材料也開始受到關注。其中,氧化鎵( Ga2O3 )是被國際普遍關注並認可已開啓產業化的超寬禁帶半導體材料。據日本富士經濟預測,未來10年氧化鎵及器件的年複合增長率將超過50%,在高功率、高電流、高壓器件領域擁有巨大優勢,同時在中壓功率器件及射頻器件方面將對目前SiC,GaN和Si IGBT產生有力競爭,其在節能、性能改善、體積縮小等方面擁有核心優勢。 高質量、低成本的氧化鎵單晶襯底是整個產業鏈的關鍵,目前全球只有一家公司可穩定供貨。其採用的是導模法生產和製備氧化鎵襯底。然而由於導模法需要大量的銥金屬,氧化鎵晶圓價格高居不下;同時導模法存在大的溫度梯度,使得氧化鎵的質量難以進一步